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reichelt elektronik GmbH & Co. KG
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BD 317 :: Bipolartransistor, NPN, 100V, 16A, 200W, TO-3


BD317MQ

  • Produktbeschreibung
  • Technische Daten
  • Allgemeines
    • Typ
    • Bipolartransistoren (BJT)
    • Ausführung
    • Kleinleistungstransistor (GP BJT)
    • Technologie
    • NPN
    • Gehäuse
    • TO-3
    • Bauform
    • TO-3
  • Elektrische Werte
    • Uceo
    • 100 V
    • Ic
    • 16 A
    • Ptot
    • 200 W
    • fT
    • 1 MHz
    • hFE
    • >25 V



Verpackungsgewicht : 0.012 kg
RoHS : konform
Technische Daten
  • Allgemeines
    • Typ
    • Bipolartransistoren (BJT)
    • Ausführung
    • Kleinleistungstransistor (GP BJT)
    • Technologie
    • NPN
    • Gehäuse
    • TO-3
    • Bauform
    • TO-3
  • Elektrische Werte
    • Uceo
    • 100 V
    • Ic
    • 16 A
    • Ptot
    • 200 W
    • fT
    • 1 MHz
    • hFE
    • >25 V
Datenblatt/Bedienungsanleitung
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