STP13N80K5 MOSFET N-Ch + Z-Diode, 800V 12A Rdson 0,37R, TO-220

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MOSFET N-Ch + Z-Diode, 800V 12A Rdson 0,37R, TO-220 STMICROELECTRONICS STP13N80K5

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Artikel-Nr.: STP13N80K5

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Beschreibung

STP13N80K5

N-Kanal 800 V, 0,37 O typ., 12 A MDmesh™ K5 Leistungs-MOSFETs
in D²PAK, TO-220FP, TO-220 und TO-247

Beschreibung:
Diese N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit sehr hoher Spannung wurden unter Verwendung der MDmesh™ K5-Technologie entwickelt, die auf einer innovativen proprietären vertikalen Struktur basiert. Das Ergebnis ist eine dramatische Reduzierung des Durchlasswiderstands und eine extrem niedrige Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.

Merkmale:
• Branchenweit niedrigste RDS(on)x-Fläche
• Bester FoM der Industrie (Zahl der Verdienste)
• Ultra-niedrige Gate-Ladung
• 100% lawinengeprüft
• Zener-geschützt

Anwendungen:
• Schalt-Anwendungen

Technische Daten Datenblätter

Technische Daten

Allgemeines
- Technologie
- N-Ch+Z-Dio
- Bauform
- TO-220
- Typ
- MOSFET

Elektrische Werte
- UDS
- 800 V
- Id
- 12 A
- RDS(on)
- 370 mOhm
- Ptot
- 190 W
- td (on)
- 16 ns
- td (off)
- 42 ns

Sonstiges
- Temperaturbereich
- -55...+150 °C

Herstellerangaben
- Hersteller
- STMICROELECTRONICS
- Artikelnummer des Herstellers
- STP13N80K5
- Verpackungsgewicht
- 0.002 kg
- RoHS
- konform

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