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SIHP22N60E-GE3 :: MOSFET, N-CH, 650V, 21A, 0,18R, TO-220

Artikel-Nr.: SIHP22N60E-GE3
3,50 €
Warengruppe: 1 = rabattfähig

SIHP22N60E-GE3

  • Produktbeschreibung
  • Technische Daten
  • Allgemeines
    • Typ
    • Unipolartransistoren (FETs)
    • Ausführung
    • MOSFETs
    • Technologie
    • N-CH
    • Bauform
    • TO-220
  • Elektrische Werte
    • UDS
    • 650 V
    • Id
    • 21 A
    • Ptot
    • 227 W
    • RDS(on)
    • 0,18 Ohm
  • Bauform: TO-220
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
  • Current - Continuous Drain: 21A (Tc)
  • Vgs: +-30 V
  • Temperaturbereich: -55 ... +150 °C
  • Leistung: 227 W
  • RDS: 0,18 Ohm
  • Typ: N-Kanal



Hersteller : VISHAY
Artikelnummer des Herstellers : SIHP22N60E-GE3
Verpackungsgewicht : 0.001 kg
RoHS : konform
Technische Daten
  • Allgemeines
    • Typ
    • Unipolartransistoren (FETs)
    • Ausführung
    • MOSFETs
    • Technologie
    • N-CH
    • Bauform
    • TO-220
  • Elektrische Werte
    • UDS
    • 650 V
    • Id
    • 21 A
    • Ptot
    • 227 W
    • RDS(on)
    • 0,18 Ohm
Datenblatt/Bedienungsanleitung
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