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IXDN 75N120 :: IGBT-Modul, N-CH, 1200V, 120, 630W, SOT-227B


IXDN 75N120

  • Produktbeschreibung
  • Technische Daten
  • Allgemeines
    • Typ
    • IGBT-Transistoren
    • Ausführung
    • IGBT-Module
    • Technologie
    • N-CH
    • Gehäuse
    • SOT-227B
    • Bauform
    • SOT-227
  • Elektrische Werte
    • Uceo
    • 1200 V
    • Ic
    • 120 A
    • Ptot
    • 630 W
    • Icpuls
    • 240 A
    • Uge(th)
    • 6,5 V



Hersteller : IXYS
Artikelnummer des Herstellers : IXDN75N120
Verpackungsgewicht : 0.04 kg
RoHS : konform
Technische Daten
  • Allgemeines
    • Typ
    • IGBT-Transistoren
    • Ausführung
    • IGBT-Module
    • Technologie
    • N-CH
    • Gehäuse
    • SOT-227B
    • Bauform
    • SOT-227
  • Elektrische Werte
    • Uceo
    • 1200 V
    • Ic
    • 120 A
    • Ptot
    • 630 W
    • Icpuls
    • 240 A
    • Uge(th)
    • 6,5 V
Datenblatt/Bedienungsanleitung
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