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MJF 44H11G :: HF-Bipolartransistor, NPN, 80V, 10A, 36W, TO-220

Artikel-Nr.: MJF 44H11G
1,30 €
Warengruppe: 1 = rabattfähig

MJF 44H11G

  • Produktbeschreibung
  • Technische Daten
  • Allgemeines
    • Typ
    • Bipolartransistoren (BJT)
    • Ausführung
    • HF-Transistoren (HF BJT)
    • Technologie
    • NPN
    • Gehäuse
    • TO-220
    • Bauform
    • TO-220
  • Elektrische Werte
    • Uceo
    • 80 V
    • Ic
    • 10 A
    • Ptot
    • 36 W
    • hFE
    • >40 V
Komplementäre Power-Transistoren
• für isolierte Gehäuse-Applikationen
• Typ: NPN
Komplementäre Leistungstransistoren sind für allgemeine Zwecke der Leistungsverstärkung und -Schaltung. Sie finden Anwendungen in Schaltregler, Wandlern und Leistungsverstärker.

Features
• Niedrige Kollektor-Emitter Sättigung Spannung - VCE (sat) = 1,0 V (max.) @ 8,0 A
• schnelle Schaltgeschwindigkeiten
• komplementäre Paare vereinfacht das Design



Hersteller : ON-SEMICONDUCTOR
Artikelnummer des Herstellers : MJF44H11G
Verpackungsgewicht : 0.002 kg
RoHS : konform
Technische Daten
  • Allgemeines
    • Typ
    • Bipolartransistoren (BJT)
    • Ausführung
    • HF-Transistoren (HF BJT)
    • Technologie
    • NPN
    • Gehäuse
    • TO-220
    • Bauform
    • TO-220
  • Elektrische Werte
    • Uceo
    • 80 V
    • Ic
    • 10 A
    • Ptot
    • 36 W
    • hFE
    • >40 V
Datenblatt/Bedienungsanleitung