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STPSC20H065C SiC-Dual-Schottkydiode, 650V, 20A (2x10), TO220AB

Artikel-Nr.: STPSC20H065C
4,99

 €

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Beschreibung

STPSC20H065C

Diese SiC-Diode ist eine Hochleistungs-Schottky-diode, gefertigt aus einem Siliziumkarbid-Substrat.
Das Band-Gap-Material ermöglicht eine Nennspannung von 650 V.
Aufgrund der Schottky-Konstruktion zeigt sich keine Erholung am Abzweig.
Das minimale kapazitive Abschaltverhalten ist temperaturunabhängig.
Diese ST-SiC-Diode eignet sich besonders für den Einsatz in PFC-Anwendungen
und erhöht die Leistung bei harten Schaltbedingungen.
Seine hohe Stoßstrombelastbarkeit gewährleistet eine gute Robustheit in transienten Phasen.

Merkmale

• keine oder vernachlässigbare Reverse-Recovery
• positiver Temperaturkoeffizient
• speziell für PFC-anwendungen entwickelt
• hohe Stoßstrombelastbarkeit




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Technische Daten
Technische Daten

Technische Daten

  • Allgemeines
    • Bauform
    • TO-220AB
    • Material
    • SiC
  • Elektrische Werte
    • URRM
    • 650 V
    • UF
    • 1,56 - 1,98 V
    • IF(AV)
    • 20 A
    • IFSM
    • 80 A
    • IR
    • 9,0 - 85 µA
  • Sonstiges
    • Temperaturbereich
    • -55 ... + 175 °C
  • Herstellerangaben
    • Hersteller
    • ST MICROELECTRONICS
    • Artikelnummer des Herstellers
    • STPSC20H065C
    • Verpackungsgewicht
    • 0.002 kg
    • RoHS
    • konform
    • EAN / GTIN
    • 9900002703354
Datenblätter
Datenblatt/Bedienungsanleitung

Technische Daten

  • Allgemeines
    • Bauform
    • TO-220AB
    • Material
    • SiC
  • Elektrische Werte
    • URRM
    • 650 V
    • UF
    • 1,56 - 1,98 V
    • IF(AV)
    • 20 A
    • IFSM
    • 80 A
    • IR
    • 9,0 - 85 µA
  • Sonstiges
    • Temperaturbereich
    • -55 ... + 175 °C
  • Herstellerangaben
    • Hersteller
    • ST MICROELECTRONICS
    • Artikelnummer des Herstellers
    • STPSC20H065C
    • Verpackungsgewicht
    • 0.002 kg
    • RoHS
    • konform
    • EAN / GTIN
    • 9900002703354