IRFB3607PbF , HEXFET Leistungs-MOSFET
Vorteil:
- Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit
- Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA
- Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-Diode
Anwendungen:
- Hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPS
- Unterbrechungsfreie Stromversorgung
- Hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteil
- Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen
Verantwortliche Person für die EU
In der EU ansässiger Wirtschaftsbeteiligter, der sicherstellt, dass das Produkt den erforderlichen Vorschriften entspricht:
reichelt elektronik GmbH
Elektronikring 1
26452 Sande, DE
info@reichelt.de
https://www.reichelt.de
