HEXFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen

  • Hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPS
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgung
  • Hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteil
  • Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen


Vorteile
  • Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit
  • Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA
  • Erhöhte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-Diode

  • Allgemeines
    • Technologie
    • N-Kanal
    • Bauform
    • TO-220AB
    • Typ
    • MOSFET
  • Elektrische Werte
    • UDS
    • 75 V
    • Id
    • 120 A
    • RDS(on)
    • 4,6 mOhm
    • Ptot
    • 230 W
    • td (on)
    • 15 ns
    • td (off)
    • 38 ns
    • Reverse recovery charge
    • 42 nC
  • Sonstiges
    • Temperaturbereich
    • -55...+175 °C
  • Herstellerangaben
    • Hersteller
    • INFINEON
    • Artikelnummer des Herstellers
    • IRFB3307ZPBF
    • Verpackungsgewicht
    • 0.002 kg
    • RoHS
    • konform
    • EAN/GTIN
    • 9900000902421

Verantwortliche Person für die EU

In der EU ansässiger Wirtschaftsbeteiligter, der sicherstellt, dass das Produkt den erforderlichen Vorschriften entspricht:


reichelt elektronik GmbH


Elektronikring 1

26452 Sande, DE

info@reichelt.de

https://www.reichelt.de

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