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  • Z-Dioden, 1,3W

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Artikel-Nr.: 1.5KE 18CA STM

Überspannungsschutz für Halbleiter
 
Artikel-Nr.: 1.5KE 220CA STM

Überspannungsschutz für Halbleiter
 
Artikel-Nr.: 1.5KE 33A STM

Überspannungsschutz für Halbleiter
 
Artikel-Nr.: 1.5KE 400CA STM

Überspannungsschutz für Halbleiter
 
Artikel-Nr.: 1.5KE 440A LITT

 
Artikel-Nr.: ZD 10

  • Typ:

    Zenerdiode

  • Technologie:

    flächendiffundiert

  • Ausführung:

    glasversiegelt, Silizium-Leistungs-Diode

  • Gehäuse:

    SOD-66 (DO-41)

  • Spannung:

    10 V

  • Toleranz:

    5%

  • Ptot:

    1,3 W

  • Temperaturbereich:

    -65 … 200 °C

  • Ø:

    2,6 (0,8 Drahtanschluss) mm

 
Artikel-Nr.: ZD 100

  • Typ:

    Zenerdiode

  • Technologie:

    flächendiffundiert

  • Ausführung:

    Silizium-Leistungs-Diode

  • Gehäuse:

    DO-204AL

  • Spannung:

    100 V

  • Toleranz:

    ca. 10 %

  • Ptot:

    1,3 W

  • Temperaturbereich:

    -50 ... +150 °C

  • Ø:

    2,6 (0,8 Drahtanschluss) mm

 
Artikel-Nr.: ZD 11

  • Typ:

    Zenerdiode

  • Technologie:

    flächendiffundiert

  • Ausführung:

    glasversiegelt, Silizium-Leistungs-Diode

  • Gehäuse:

    DO-204AL(DO-41)

  • Spannung:

    11 V

  • Toleranz:

    5%

  • Ptot:

    1,3 W

  • Temperaturbereich:

    -65 … 200 °C

  • Ø:

    2,6 (0,8 Drahtanschluss) mm

 
Artikel-Nr.: ZD 12

  • Typ:

    Zenerdiode

  • Technologie:

    flächendiffundiert

  • Ausführung:

    glasversiegelt, Silizium-Leistungs-Diode

  • Gehäuse:

    DO-204AL(DO-41)

  • Spannung:

    12 V

  • Toleranz:

    5%

  • Ptot:

    1,3 W

  • Temperaturbereich:

    -65 … 200 °C

  • Ø:

    2,6 (0,8 Drahtanschluss) mm

 
Artikel-Nr.: ZD 13

  • Typ:

    Zenerdiode

  • Technologie:

    flächendiffundiert

  • Ausführung:

    glasversiegelt, Silizium-Leistungs-Diode

  • Gehäuse:

    DO-204AL(DO-41)

  • Spannung:

    13 V

  • Toleranz:

    5%

  • Ptot:

    1,3 W

  • Temperaturbereich:

    -65 … 200 °C

  • Ø:

    2,6 (0,8 Drahtanschluss) mm

 
Artikel-Nr.: ZD 15

  • Typ:

    Zenerdiode

  • Technologie:

    flächendiffundiert

  • Ausführung:

    glasversiegelt, Silizium-Leistungs-Diode

  • Gehäuse:

    DO-204AL(DO-41)

  • Spannung:

    15 V

  • Toleranz:

    5%

  • Ptot:

    1,3 W

  • Temperaturbereich:

    -65 … 200 °C

  • Ø:

    2,6 (0,8 Drahtanschluss) mm

 
Artikel-Nr.: ZD 16

  • Typ:

    Zenerdiode

  • Technologie:

    flächendiffundiert

  • Ausführung:

    glasversiegelt, Silizium-Leistungs-Diode

  • Gehäuse:

    DO-204AL(DO-41)

  • Spannung:

    16 V

  • Toleranz:

    5%

  • Ptot:

    1,3 W

  • Temperaturbereich:

    -65 … 200 °C

  • Ø:

    2,6 (0,8 Drahtanschluss) mm

 
Artikel-Nr.: ZD 18

  • Typ:

    Zenerdiode

  • Technologie:

    flächendiffundiert

  • Ausführung:

    glasversiegelt, Silizium-Leistungs-Diode

  • Gehäuse:

    DO-204AL(DO-41)

  • Spannung:

    18 V

  • Toleranz:

    5%

  • Ptot:

    1,3 W

  • Temperaturbereich:

    -65 … 200 °C

  • Ø:

    2,6 (0,8 Drahtanschluss) mm

 
Artikel-Nr.: ZD 2,7

  • Typ:

    Zenerdiode

  • Technologie:

    flächendiffundiert

  • Ausführung:

    Silizium-Leistungs-Diode

  • Gehäuse:

    DO-204AL

  • Spannung:

    2,7 V

  • Toleranz:

    ca. 10 %

  • Ptot:

    1,3 W

  • Temperaturbereich:

    -50 ... +150 °C

  • Ø:

    2,6 (0,8 Drahtanschluss) mm

 
Artikel-Nr.: ZD 20

  • Typ:

    Zenerdiode

  • Technologie:

    flächendiffundiert

  • Ausführung:

    glasversiegelt, Silizium-Leistungs-Diode

  • Gehäuse:

    DO-204AL(DO-41)

  • Spannung:

    20 V

  • Toleranz:

    5%

  • Ptot:

    1,3 W

  • Temperaturbereich:

    -65 … 200 °C

  • Ø:

    2,6 (0,8 Drahtanschluss) mm

 
Artikel-Nr.: ZD 22

  • Typ:

    Zenerdiode

  • Technologie:

    flächendiffundiert

  • Ausführung:

    glasversiegelt, Silizium-Leistungs-Diode

  • Gehäuse:

    DO-204AL(DO-41)

  • Spannung:

    22 V

  • Toleranz:

    5%

  • Ptot:

    1,3 W

  • Temperaturbereich:

    -65 … 200 °C

  • Ø:

    2,6 (0,8 Drahtanschluss) mm


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