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reichelt elektronik GmbH & Co. KG
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  • MOSFETs

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  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    MOSFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    TO-18

  • UDS:

    40 V

  • Id:

    0,025 A

  • Ptot:

    1,8 W

  • Bauform:

    TO-18

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    MOSFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    TO-18

  • UDS:

    40 V

  • Id:

    0,005 A

  • Ptot:

    1,8 W

  • Bauform:

    TO-18

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    MOSFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    TO-39

  • UDS:

    60 V

  • Id:

    1,1 A

  • Ptot:

    6,25 W

  • Bauform:

    TO-39

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    MOSFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    TO-92

  • UDS:

    60 V

  • Id:

    0,115 A

  • Ptot:

    0,4 W

  • Bauform:

    TO-92

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    MOSFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    TO-92

  • UDS:

    60 V

  • Id:

    0,115 A

  • Ptot:

    0,4 W

  • Bauform:

    TO-92

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    MOSFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    TO-92

  • UDS:

    60 V

  • Id:

    0,115 A

  • Ptot:

    0,4 W

  • Bauform:

    TO-92

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    MOSFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    SOT-23

  • UDS:

    60 V

  • Id:

    0,3 A

  • Ptot:

    0,83 W

  • Bauform:

    SOT-23

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    MOSFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    SOT-23

  • UDS:

    60 V

  • Id:

    0,115 A

  • Ptot:

    0,2 W

  • Bauform:

    SOT-23

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    MOSFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    SOT-23

  • UDS:

    60 V

  • Id:

    0,115 A

  • Ptot:

    0,3 W

  • Bauform:

    SOT-23

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    MOSFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    SOT-23

  • UDS:

    60 V

  • Id:

    0,32 A

  • Ptot:

    0,3 W

  • Bauform:

    SOT-23

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    MOSFETs

  • Technologie:

    P-CH

  • Gehäuse:

    TO-3P

  • UDS:

    160 V

  • Id:

    7 A

  • Ptot:

    100 W

  • Bauform:

    TO-3P

Verpackungsgewicht:

0,005 kg

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    MOSFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    TO-3P

  • UDS:

    160 V

  • Id:

    7 A

  • Ptot:

    100 W

  • Bauform:

    TO-3P

Verpackungsgewicht:

0,005 kg

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    MOSFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    TO-220

  • UDS:

    900 V

  • Id:

    3,5 A

  • Ptot:

    40 W

  • Bauform:

    TO-220F

Verpackungsgewicht:

0,002 kg

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    MOSFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    TO-220

  • UDS:

    600 V

  • Id:

    6 A

  • Ptot:

    80 W

  • Bauform:

    TO-220

Verpackungsgewicht:

0,002 kg

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    MOSFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    SC-67

  • UDS:

    600 V

  • Id:

    6 A

  • Ptot:

    40 W

  • Bauform:

    SC-67

Verpackungsgewicht:

0,002 kg

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    MOSFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    TO-220

  • UDS:

    600 V

  • Id:

    9 A

  • Ptot:

    50 W

  • Bauform:

    TO-220F

Verpackungsgewicht:

0,002 kg