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    Unipolartransistoren (FETs)

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    MOSFETs

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    N-CH

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    TO-18

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    40 V

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    0,025 A

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    1,8 W

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    TO-18

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

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    MOSFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    TO-18

  • UDS:

    40 V

  • Id:

    0,005 A

  • Ptot:

    1,8 W

  • Bauform:

    TO-18

 
Artikel-Nr.: 2N 6660 SIL

  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    MOSFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    TO-39

  • UDS:

    60 V

  • Id:

    1,1 A

  • Ptot:

    6,25 W

  • Bauform:

    TO-39

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    MOSFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    TO-92

  • UDS:

    60 V

  • Id:

    0,115 A

  • Ptot:

    0,4 W

  • Bauform:

    TO-92

 
Artikel-Nr.: 2N 7000 DIO

  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    MOSFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    TO-92

  • UDS:

    60 V

  • Id:

    0,115 A

  • Ptot:

    0,4 W

  • Bauform:

    TO-92

 
Artikel-Nr.: 2N 7000 FAI

  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    MOSFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    TO-92

  • UDS:

    60 V

  • Id:

    0,115 A

  • Ptot:

    0,4 W

  • Bauform:

    TO-92

 
Artikel-Nr.: 2N 7002 NXP

  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    MOSFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    SOT-23

  • UDS:

    60 V

  • Id:

    0,3 A

  • Ptot:

    0,83 W

  • Bauform:

    SOT-23

 
Artikel-Nr.: 2N 7002 SMD

  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    MOSFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    SOT-23

  • UDS:

    60 V

  • Id:

    0,115 A

  • Ptot:

    0,2 W

  • Bauform:

    SOT-23

 
Artikel-Nr.: 2N 7002-7-F

  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    MOSFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    SOT-23

  • UDS:

    60 V

  • Id:

    0,115 A

  • Ptot:

    0,3 W

  • Bauform:

    SOT-23

 
Artikel-Nr.: 2N 7002KT1G ONS

  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    MOSFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    SOT-23

  • UDS:

    60 V

  • Id:

    0,32 A

  • Ptot:

    0,3 W

  • Bauform:

    SOT-23

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    MOSFETs

  • Technologie:

    P-CH

  • Gehäuse:

    TO-3P

  • UDS:

    160 V

  • Id:

    7 A

  • Ptot:

    100 W

  • Bauform:

    TO-3P

 
Artikel-Nr.: 2SK 1058

  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    MOSFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    TO-3P

  • UDS:

    160 V

  • Id:

    7 A

  • Ptot:

    100 W

  • Bauform:

    TO-3P

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    MOSFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    TO-220

  • UDS:

    900 V

  • Id:

    3,5 A

  • Ptot:

    40 W

  • Bauform:

    TO-220F

 
Artikel-Nr.: 2SK 2544

  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    MOSFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    TO-220

  • UDS:

    600 V

  • Id:

    6 A

  • Ptot:

    80 W

  • Bauform:

    TO-220

 
Artikel-Nr.: 2SK 2545

  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    MOSFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    SC-67

  • UDS:

    600 V

  • Id:

    6 A

  • Ptot:

    40 W

  • Bauform:

    SC-67

 
Artikel-Nr.: 2SK 2645

  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    MOSFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    TO-220

  • UDS:

    600 V

  • Id:

    9 A

  • Ptot:

    50 W

  • Bauform:

    TO-220F


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