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  • MOSFET-Transistoren, IXYS

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  •  1 - 16 von  25  Artikeln. 
 
  • Typ:

    Leistungs-MOSFET

  • Ausführung:

    N-Ch

  • Gehäuse:

    TO-247AD

  • UDS:

    500 V

  • Ic25:

    21 A

  • RDS(on):

    0,25 Ohm

  • td (on):

    16 ns

  • UGS(th):

    2 V

  • td (off):

    16 ns

Verpackungsgewicht:

0,006 kg

 
  • Typ:

    Leistungs-MOSFET

  • Ausführung:

    N-Ch

  • Gehäuse:

    TO-247AD

  • UDS:

    500 V

  • Ic25:

    24 A

  • RDS(on):

    0,23 Ohm

  • td (on):

    16 ns

  • UGS(th):

    2 V

  • td (off):

    16 ns

Verpackungsgewicht:

0,006 kg

 
  • Typ:

    Leistungs-MOSFET

  • Ausführung:

    N-Ch

  • Gehäuse:

    TO-247AD

  • UDS:

    500 V

  • Ic25:

    26 A

  • RDS(on):

    0,2 Ohm

  • td (on):

    28 ns

  • UGS(th):

    2,5 V

  • td (off):

    28 ns

Verpackungsgewicht:

0,006 kg

 
  • Typ:

    Leistungs-MOSFET

  • Ausführung:

    N-Ch

  • Gehäuse:

    TO-247AD

  • UDS:

    300 V

  • Ic25:

    40 A

  • RDS(on):

    0,08 Ohm

  • td (on):

    20 ns

  • UGS(th):

    2 V

  • td (off):

    20 ns

Verpackungsgewicht:

0,006 kg

 
  • Typ:

    Leistungs-MOSFET

  • Ausführung:

    N-Ch

  • Gehäuse:

    TO-247AD

  • UDS:

    200 V

  • Ic25:

    50 A

  • RDS(on):

    0,045 Ohm

  • td (on):

    18 ns

  • UGS(th):

    2 V

  • td (off):

    18 ns

Verpackungsgewicht:

0,006 kg

 
  • Typ:

    Leistungs-MOSFET

  • Ausführung:

    N-Ch

  • Gehäuse:

    TO-264AA

  • UDS:

    300 V

  • Ic25:

    140 A

  • RDS(on):

    0,024 Ohm

  • td (on):

    30 ns

  • UGS(th):

    3 V

  • td (off):

    30 ns

Verpackungsgewicht:

0,010 kg

 
  • Typ:

    Leistungs-MOSFET

  • Ausführung:

    N-Ch

  • Gehäuse:

    TO-264AA

  • UDS:

    100 V

  • Ic25:

    180 A

  • RDS(on):

    0,008 Ohm

  • td (on):

    50 ns

  • UGS(th):

    2 V

  • td (off):

    50 ns

Verpackungsgewicht:

0,010 kg

 
  • Typ:

    Leistungs-MOSFET

  • Ausführung:

    N-Ch

  • Gehäuse:

    TO-264AA

  • UDS:

    800 V

  • Ic25:

    44 A

  • RDS(on):

    0,19 Ohm

  • td (on):

    28 ns

  • UGS(th):

    3 V

  • td (off):

    28 ns

Verpackungsgewicht:

0,010 kg

 
  • Typ:

    Leistungs-MOSFET

  • Ausführung:

    N-Ch

  • Gehäuse:

    TO-264AA

  • UDS:

    600 V

  • Ic25:

    48 A

  • RDS(on):

    0,135 Ohm

  • td (on):

    30 ns

  • UGS(th):

    3 V

  • td (off):

    30 ns

Verpackungsgewicht:

0,010 kg

 
  • Typ:

    Leistungs-MOSFET

  • Ausführung:

    N-Ch

  • Gehäuse:

    TO-264AA

  • UDS:

    500 V

  • Ic25:

    64 A

  • RDS(on):

    0,085 Ohm

  • td (on):

    30 ns

  • UGS(th):

    3 V

  • td (off):

    30 ns

Verpackungsgewicht:

0,010 kg

 
  • Typ:

    Leistungs-MOSFET

  • Ausführung:

    N-Ch

  • Gehäuse:

    TO-264AA

  • UDS:

    600 V

  • Ic25:

    64 A

  • RDS(on):

    0,096 Ohm

  • td (on):

    28 ns

  • UGS(th):

    3 V

  • td (off):

    28 ns

Verpackungsgewicht:

0,010 kg

 
  • Typ:

    Leistungs-MOSFET

  • Ausführung:

    N-CH

  • Gehäuse:

    TO-247-Isoplus

  • UDS:

    100 V

  • Ic25:

    165 A

  • RDS(on):

    0,008 Ohm

  • td (on):

    50 ns

  • UGS(th):

    2 V

  • td (off):

    50 ns

Verpackungsgewicht:

0,006 kg

 
  • Typ:

    Leistungs-MOSFET

  • Ausführung:

    P-Ch

  • Gehäuse:

    TO-247AD

  • UDS:

    500 V

  • Ic25:

    11 A

  • RDS(on):

    0,75 Ohm

  • td (on):

    33 ns

  • UGS(th):

    3 V

  • td (off):

    33 ns

Verpackungsgewicht:

0,006 kg

 
  • Typ:

    Leistungs-MOSFET

  • Ausführung:

    N-Ch

  • Gehäuse:

    TO-247AD

  • UDS:

    500 V

  • RDS(on):

    0,25 Ohm

  • td (on):

    24 ns

  • UGS(th):

    2 ... 4 V

  • Ptot:

    300 W

  • td (off):

    65 ns

Verpackungsgewicht:

0,006 kg

 
  • Bauform: TO-220
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
  • Current - Continuous Drain: 20A (Tc)
  • Vgs: 5,5 V
  • Temperaturbereich: -40 ... +150 °C
  • Leistung: 208 W
  • RDS: 190 mOhm
  • Typ: N-Kanal

Verpackungsgewicht:

0,031 kg

 
  • Bauform: TO-247
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
  • Vgs: 3,9 V
  • Temperaturbereich: -40 ... +150 °C
  • Leistung: 227 W
  • RDS: 290 mOhm
  • Typ: N-Kanal

Verpackungsgewicht:

0,008 kg