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reichelt elektronik GmbH & Co. KG
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  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    JFETs

  • Technologie:

    P-CH

  • Gehäuse:

    TO-92

  • UDS:

    50 V

  • Id:

    3 mA

  • Ptot:

    0,3 W

  • Bauform:

    TO-92

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    JFETs

  • Technologie:

    P-CH

  • Gehäuse:

    TO-92

  • UDS:

    25 V

  • Id:

    1 mA

  • Ptot:

    0,4 W

  • Bauform:

    TO-92

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    JFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    TO-92

  • UDS:

    50 V

  • Id:

    5 mA

  • Ptot:

    0,3 W

  • Bauform:

    TO-92

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    JFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    2-4E1D

  • UDS:

    18 V

  • Id:

    10 mA

  • Ptot:

    0,2 W

  • Bauform:

    2-4E1D

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    JFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    TO-92

  • UDS:

    40 V

  • Id:

    20 mA

  • Ptot:

    0,4 W

  • Bauform:

    TO-92

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    JFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    2-4E1D

  • UDS:

    18 V

  • Id:

    3 mA

  • Ptot:

    0,2 W

  • Bauform:

    2-4E1D

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    JFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    TO-92

  • UDS:

    50 V

  • Id:

    1 mA

  • Ptot:

    0,3 W

  • Bauform:

    TO-92 / TO-92-MP

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    JFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    TO-92

  • UDS:

    40 V

  • Id:

    5 mA

  • Ptot:

    0,4 W

  • Bauform:

    TO-92

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    JFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    SOT-23

  • UDS:

    20 V

  • Id:

    30 mA

  • Ptot:

    0,25 W

  • Bauform:

    SOT-23

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    JFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    SOT-23

  • UDS:

    30 V

  • Id:

    6,5 mA

  • Ptot:

    0,25 W

  • Bauform:

    SOT-23

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    JFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    SOT-23

  • UDS:

    25 V

  • Id:

    5 mA

  • Ptot:

    0,225 W

  • Bauform:

    SOT-23

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    JFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    SOT-23

  • UDS:

    25 V

  • Id:

    10 mA

  • Ptot:

    0,225 W

  • Bauform:

    SOT-23

Verpackungsgewicht:

0,002 kg

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    JFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    SOT-23

  • UDS:

    25 V

  • Id:

    20 mA

  • Ptot:

    0,225 W

  • Bauform:

    SOT-23

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    JFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    SOT-23

  • UDS:

    30 V

  • Id:

    30 mA

  • Ptot:

    0,225 W

  • Bauform:

    SOT-23

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    JFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    TO-92

  • UDS:

    30 V

  • Id:

    15 mA

  • Ptot:

    0,36 W

  • Bauform:

    TO-92

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    Unipolartransistoren (FETs)

  • Ausführung:

    JFETs

  • Technologie:

    N-CH

  • Gehäuse:

    TO-92

  • UDS:

    25 V

  • Id:

    5 mA

  • Ptot:

    0,31 W

  • Bauform:

    TO-92

Verpackungsgewicht:

0,001 kg