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reichelt elektronik GmbH & Co. KG
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  • HF-Transistoren

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    Bipolartransistoren (BJT)

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    HF-Transistoren (HF BJT)

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    PNP

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    TO-220AB

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    180 V

  • Ic:

    1,5 A

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    25 W

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    80 MHz

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    TO-220AB

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    HF-Transistoren (HF BJT)

  • Technologie:

    PNP

  • Gehäuse:

    TO-220AB

  • Uceo:

    180 V

  • Ic:

    1,5 A

  • Ptot:

    25 W

  • fT:

    120 MHz

  • Bauform:

    TO-220AB

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    HF-Transistoren (HF BJT)

  • Technologie:

    PNP

  • Gehäuse:

    TO-220AB

  • Uceo:

    60 V

  • Ic:

    5 A

  • Ptot:

    25 W

  • fT:

    60 MHz

  • Bauform:

    TO-220AB

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    HF-Transistoren (HF BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    TO-218

  • Uceo:

    700 V

  • Ic:

    14 A

  • Ptot:

    160 W

  • hFE:

    7 ... 14

  • Bauform:

    TO-218

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    HF-Transistoren (HF BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    TO-3PN

  • Uceo:

    160 V

  • Ic:

    12 A

  • Ptot:

    100 W

  • fT:

    15 MHz

  • Bauform:

    TO-3PN

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    HF-Transistoren (HF BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    SOT-23

  • Uceo:

    15 V

  • Ic:

    0,1 A

  • Ptot:

    0,5 W

  • fT:

    5000 MHz

  • hFE:

    >25

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    HF-Transistoren (HF BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    TO-220

  • Uceo:

    50 V

  • Ic:

    3 A

  • Ptot:

    25 W

  • fT:

    8 MHz

  • Bauform:

    TO-220

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    HF-Transistoren (HF BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    TO-220

  • Uceo:

    60 V

  • Ic:

    12 A

  • Ptot:

    40 W

  • fT:

    10 MHz

  • Bauform:

    TO-220

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    HF-Transistoren (HF BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    TO-92

  • Uceo:

    15 V

  • Ic:

    0,05 A

  • Ptot:

    625 W

  • Bauform:

    TO-92

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    HF-Transistoren (HF BJT)

  • Technologie:

    PNP

  • Gehäuse:

    TO-3PN

  • Uceo:

    120 V

  • Ic:

    8 A

  • Ptot:

    80 W

  • fT:

    20 MHz

  • Bauform:

    TO-3PN

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    HF-Transistoren (HF BJT)

  • Technologie:

    PNP

  • Gehäuse:

    TO-3PN

  • Uceo:

    140 V

  • Ic:

    10 A

  • Ptot:

    100 W

  • fT:

    20 MHz

  • Bauform:

    TO-3PN

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    HF-Transistoren (HF BJT)

  • Technologie:

    PNP

  • Gehäuse:

    TO-126

  • Uceo:

    120 V

  • Ic:

    0,5 A

  • Ptot:

    5 W

  • fT:

    250 MHz

  • Bauform:

    TO-126

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    HF-Transistoren (HF BJT)

  • Technologie:

    PNP

  • Gehäuse:

    TO-220

  • Uceo:

    150 V

  • Ic:

    1 A

  • Ptot:

    20 W

  • fT:

    200 MHz

  • Bauform:

    TO-220

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    HF-Transistoren (HF BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    TO-220

  • Uceo:

    200 V

  • Ic:

    2 A

  • Ptot:

    30 W

  • Bauform:

    TO-220

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    HF-Transistoren (HF BJT)

  • Technologie:

    PNP

  • Gehäuse:

    TO-126

  • Uceo:

    400 V

  • Ic:

    0,5 A

  • Ptot:

    10 W

  • Bauform:

    TO-126

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    HF-Transistoren (HF BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    TO-220

  • Uceo:

    30 V

  • Ic:

    3 A

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    10 W

  • fT:

    100 MHz

  • Bauform:

    TO-220


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