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reichelt elektronik GmbH & Co. KG
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    Fototransistor

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    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Technologie:

    NPN

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    35 V

  • Ic:

    50 mA

  • Ptot:

    0,2 W

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    420 ... 1130 nm

 
  • Typ:

    Fototransistor

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    Plastikgehäuse, bedrahtet

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    NPN

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    50 mA

  • Ptot:

    0,15 W

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    620 ... 980 nm

 
  • Typ:

    Fototransistor

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Technologie:

    NPN

  • Uceo:

    32 V

  • Ic:

    50 mA

  • Ptot:

    0,1 W

  • Wellenlänge:

    620 ... 960 nm

 
  • Typ:

    Fototransistor

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Technologie:

    NPN

  • Uceo:

    32 V

  • Ic:

    50 mA

  • Ptot:

    0,1 W

  • Wellenlänge:

    620 ... 960 nm

 
  • Typ:

    Fototransistor

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Technologie:

    NPN

  • Uceo:

    30 V

  • Ic:

    20 mA

  • Ptot:

    0,075 W

  • Wellenlänge:

    400 ... 1100 nm

 
  • Typ:

    Fototransistor

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

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    NPN

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    35 V

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    50 mA

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    0,2 W

  • Wellenlänge:

    450 ... 880 nm

 
  • Typ:

    Fototransistor

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Technologie:

    NPN

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    35 V

  • Ic:

    50 mA

  • Ptot:

    0,2 W

  • Wellenlänge:

    450 ... 1100 nm

 
  • Typ:

    Fototransistor

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Technologie:

    NPN

  • Uceo:

    35 V

  • Ic:

    15 mA

  • Ptot:

    0,165 W

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    730 ... 1100 nm

 
  • Typ:

    Fototransistor

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Technologie:

    NPN

  • Uceo:

    35 V

  • Ic:

    15 mA

  • Ptot:

    0,165 W

  • Wellenlänge:

    380 ... 880 nm

 
  • Typ:

    Fototransistor

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Technologie:

    NPN

  • Uceo:

    35 V

  • Ic:

    15 mA

  • Ptot:

    0,165 W

  • Wellenlänge:

    380 ... 1180 nm

 
  • Typ:

    Fototransistor

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Technologie:

    NPN

  • Uceo:

    35 V

  • Ic:

    15 mA

  • Ptot:

    0,165 W

  • Wellenlänge:

    380 ... 1180 nm

 
  • Typ:

    Fototransistor

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Technologie:

    NPN

  • Uceo:

    30 V

  • Ic:

    50 mA

  • Ptot:

    0,15 W

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  • Typ:

    Fototransistor

  • Ausführung:

    SMD, PLCC2

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    NPN

  • Uceo:

    35 V

  • Ic:

    15 mA

  • Ptot:

    0,165 W

  • Wellenlänge:

    420 ... 1100 nm

 
  • Typ:

    Fototransistor

  • Ausführung:

    SMD, PLCC2

  • Technologie:

    NPN

  • Uceo:

    35 V

  • Ic:

    15 mA

  • Ptot:

    0,165 W

  • Wellenlänge:

    750 ... 1120 nm

 
  • Typ:

    Fototransistor

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Technologie:

    NPN

  • Uceo:

    30 V

  • Ic:

    20 mA

  • Ptot:

    0,075 W

  • Wellenlänge:

    400 ... 1100 nm

 
  • Typ:

    Fototransistor

  • Ausführung:

    Metallgehäuse, bedrahtet

  • Technologie:

    NPN

  • Uceo:

    50 V

  • Ic:

    50 mA

  • Ptot:

    0,22 W

  • Wellenlänge:

    450 ... 1120 nm


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