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  • Fotodioden etc.

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  • Modell:

    Fotowiderstand

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Wellenlänge:

    530 nm

  • Leistung:

    90 m W

  • Betriebsspannung:

    150 V

  • Ø:

    5 mm

  • Höhe:

    42,5 mm

  • Temperaturbereich:

    -20 ... +70 °C

  • Lichtstärke:

    70 ... 200 lux

  • Typ:

    A 905014

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Modell:

    Fototransistor

  • Ausführung:

    Plastikbauform, LED-Gehäuse

  • Wellenlänge:

    420 ... 1130 nm

  • Leistung:

    200 m W

  • Betriebsspannung:

    50 V

  • Betriebsstrom:

    50 mA

  • Ø:

    5,9 mm

  • Temperaturbereich:

    -55 ... +100 °C

  • Typ:

    BP 103B-2

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    DIL

  • Wellenlänge:

    800 ... 1100 nm

  • Leistung:

    150 m W

  • Betriebsspannung:

    20 V

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +100 °C

  • Typ:

    BP 104 FS

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Wellenlänge:

    870 … 950 nm

  • Leistung:

    215 m W

  • Betriebsspannung:

    12 V

  • Ø:

    5,75 mm

  • Höhe:

    8,6 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +100 °C

  • Typ:

    BPV 10NF

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Modell:

    Fototransistor

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Wellenlänge:

    620 ... 960 nm

  • Leistung:

    100 m W

  • Betriebsspannung:

    32 V

  • Betriebsstrom:

    50 mA

  • Länge:

    3,3 mm

  • Höhe:

    29,1 mm

  • Breite:

    2,4 mm

  • Temperaturbereich:

    -55 ... +100 °C

  • Typ:

    BPW 16N

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Modell:

    Fototransistor

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Wellenlänge:

    620 ... 960 nm

  • Leistung:

    100 m W

  • Betriebsspannung:

    32 V

  • Betriebsstrom:

    50 mA

  • Länge:

    3,3 mm

  • Höhe:

    29,1 mm

  • Breite:

    2,4 mm

  • Temperaturbereich:

    -55 ... +100 °C

  • Typ:

    BPW 17N

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Metallgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    TO-5

  • Wellenlänge:

    350 ... 820 nm

  • Leistung:

    250 m W

  • Betriebsspannung:

    10 V

  • Ø:

    9,5 mm

  • Höhe:

    3,4 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +80 °C

  • Typ:

    BPW 21

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Wellenlänge:

    400 ... 1100 nm

  • Leistung:

    150 m W

  • Betriebsspannung:

    32 V

  • Länge:

    4,5 mm

  • Höhe:

    1,2 mm

  • Breite:

    4,0 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +100 °C

  • Typ:

    BPW 34

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Fotodioden: Zum Betrieb ist eine externe Spannungsquelle nötig. Ein auftreffender Lichtstrom führt zum Anstieg des Sperrstroms der Diode.
  • Je höher die angelegte Sperrspannung, desto schneller reagiert die Fotodiode auf Änderungen des Lichtsignals

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Fotodioden: Zum Betrieb ist eine externe Spannungsquelle nötig. Ein auftreffender Lichtstrom führt zum Anstieg des Sperrstroms der Diode.
  • Je höher die angelegte Sperrspannung, desto schneller reagiert die Fotodiode auf Änderungen des Lichtsignals

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Modell:

    Fototransistor

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Leistung:

    100 m W

  • Betriebsspannung:

    30 V

  • Betriebsstrom:

    0,5 mA

  • Ø:

    5,9 mm

  • Höhe:

    35,6 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

  • Typ:

    BPW 40

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Modell:

    Fototransistor

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Wellenlänge:

    940 nm

  • Leistung:

    100 m W

  • Betriebsspannung:

    30 V

  • Betriebsstrom:

    0,9 - 1,9 mA

  • Ø:

    3,2 mm

  • Höhe:

    19,6 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

  • Typ:

    BPW 42

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Wellenlänge:

    790 ... 1050 nm

  • Leistung:

    215 m W

  • Betriebsspannung:

    60 V

  • Länge:

    6,8 mm

  • Höhe:

    4 mm

  • Breite:

    5 mm

  • Temperaturbereich:

    -55 ... +100 °C

  • Typ:

    BPW 82

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Metallgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    TO-5

  • Wellenlänge:

    400 ... 1100 nm

  • Leistung:

    250 m W

  • Betriebsspannung:

    32 V

  • Ø:

    9,5 mm

  • Höhe:

    3,4 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +125 °C

  • Typ:

    BPX 61

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Metallgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    TO-18

  • Wellenlänge:

    350 ... 1100 nm

  • Leistung:

    250 m W

  • Betriebsspannung:

    50 V

  • Ø:

    5,6 mm

  • Höhe:

    5,5 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +125 °C

  • Typ:

    BPX 65

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Modell:

    Fototransistor

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, Zeilen

  • Wellenlänge:

    440 ... 1070 nm

  • Leistung:

    90 m W

  • Betriebsspannung:

    32 V

  • Betriebsstrom:

    50 mA

  • Länge:

    2,4 mm

  • Breite:

    1,7 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +80 °C

  • Typ:

    BPX 81

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Modell:

    Fototransistor

  • Ausführung:

    Metallgehäuse

  • Bauform:

    TO-18

  • Wellenlänge:

    420 ... 1130 nm

  • Leistung:

    200 m W

  • Betriebsspannung:

    50 V

  • Betriebsstrom:

    100 mA

  • Ø:

    5,6 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +100 °C

  • Typ:

    BPY 62

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    T1 3/4

  • Wellenlänge:

    950 nm

  • Abstrahlwinkel:

    22 °

  • Leistung:

    14 mW/sr

  • Leistung:

    210 m W

  • Betriebsspannung:

    1,3 V

  • Betriebsstrom:

    150 mA

  • Ø:

    5 mm

  • Länge:

    34,9 mm

  • Temperaturbereich:

    -55 ... +100 °C

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    T1

  • Wellenlänge:

    940 nm

  • Abstrahlwinkel:

    35 °

  • Leistung:

    35 mW/sr

  • Leistung:

    150 m W

  • Betriebsspannung:

    1,4 V

  • Betriebsstrom:

    100 mA

  • Ø:

    3,0 mm

  • Länge:

    5,2 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Modell:

    Fresnel-Linse

  • Ausführung:

    Kunststoff

  • Bauform:

    rund

  • Ø:

    11 mm

  • Höhe:

    10,25 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +70 °C

  • Farbe:

    grau

  • Typ:

    IML-0650G

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Modell:

    Fresnel-Linse

  • Ausführung:

    Kunststoff

  • Bauform:

    flach

  • Ø:

    11 mm

  • Länge:

    33,9 mm

  • Höhe:

    10,25 mm

  • Breite:

    26 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +70 °C

  • Farbe:

    naturweiß

  • Typ:

    IML-0666

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Infrarot-Leuchtdiode mit hoher Zuverlässigkeit
  • Hohe Strahlstärke
  • Rastermass 2.54 mm
  • Niedrige Durchlassspannung

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Hohe Zuverlässigkeit
  • Hohe Strahlstärke
  • Rastermass 2.54 mm
  • Niedrige Durchlassspannung

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Hohe Zuverlässigkeit
  • Hohe Strahlstärke
  • Rastermass 2.54 mm
  • Niedrige Durchlassspannung

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
Für die Begrenzung des Erfassungsbereiches von Infrarot-Sensoren

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    Mini-Gehäuse

  • Wellenlänge:

    880 nm

  • Abstrahlwinkel:

    25 °

  • Leistung:

    2,5 mW/sr

  • Leistung:

    200 m W

  • Betriebsspannung:

    1,5 V

  • Betriebsstrom:

    100 mA

  • Länge:

    5,8 mm

  • Höhe:

    4,5 mm

  • Breite:

    1,7 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +100 °C

  • Typ:

    IRL 81 A

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Einschliesslich Oszillator, Komparator und Demodulator
  • Sicher vor störendem Licht aufgrund von moduliertem IR-Signal
  • Geeignet für den Bau eines Näherungssensors
  • Die IR-LED wird über einen Zweileiteranschluss moduliert

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    T1 3/4

  • Wellenlänge:

    950 nm

  • Abstrahlwinkel:

    25 °

  • Leistung:

    15 mW/sr

  • Leistung:

    220 m W

  • Betriebsspannung:

    1,3 V

  • Betriebsstrom:

    130 mA

  • Ø:

    4,8 mm

  • Länge:

    9,0 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +100 °C

  • Typ:

    LED 5 mm

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    radial bedrahtet

  • Bauform:

    T1 3/4

  • Wellenlänge:

    950 nm

  • Abstrahlwinkel:

    10 °

  • Leistung:

    80 mW/sr

  • Leistung:

    165 m W

  • Betriebsspannung:

    1,3 V

  • Betriebsstrom:

    100 mA

  • Ø:

    5,1 mm

  • Länge:

    9,0 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +100 °C

  • Farbe:

    infrarot

  • Typ:

    LED 5 mm

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Modell:

    Fotowiderstand

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Leistung:

    300 m W

  • Betriebsspannung:

    200 V

  • Ø:

    10 mm

  • Höhe:

    30 mm

  • Temperaturbereich:

    -20 ... +80 °C

  • Typ:

    LDR 05

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 

Verpackungsgewicht:

0,004 kg

 
  • Modell:

    Pyrolektrischer Infrarot Sensor

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    TO-39

  • Abstrahlwinkel:

    95/95 °

  • Betriebsspannung:

    2 - 12 V

  • Ø:

    9,2 mm

  • Höhe:

    4,2 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

  • Typ:

    LHI 878 RF

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Modell:

    Pyrolektrischer Infrarot Sensor

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    TO-39

  • Abstrahlwinkel:

    110/110 °

  • Betriebsspannung:

    2 - 12 V

  • Ø:

    9,2 mm

  • Höhe:

    4,2 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

  • Typ:

    LHI 968

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Modell:

    Fototransistor

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Wellenlänge:

    400 ... 1100 nm

  • Leistung:

    100 m W

  • Betriebsspannung:

    30 V

  • Betriebsstrom:

    50 mA

  • Länge:

    5,84 mm

  • Breite:

    4,57 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

  • Typ:

    LPT 80A

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Modell:

    Fotowiderstand

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Wellenlänge:

    600 nm

  • Leistung:

    200 m W

  • Betriebsspannung:

    100 V

  • Länge:

    5,2 mm

  • Höhe:

    39,2 mm

  • Breite:

    5,2 mm

  • Temperaturbereich:

    -20 ... +70 °C

  • Lichtstärke:

    1,5 ... 5,0 lux

  • Tiefe:

    1,5 mm

  • Typ:

    M 996011A

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Modell:

    Fotowiderstand

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Wellenlänge:

    600 nm

  • Leistung:

    200 m W

  • Betriebsspannung:

    100 V

  • Temperaturbereich:

    -20 ... +70 °C

  • Lichtstärke:

    0,8 ... 2,0 lux

  • Typ:

    M 996011B

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Modell:

    PIR-Module

  • Temperaturbereich:

    0 ... 50 °C

  • Eingangsspannung:

    3 ... 6 VDC

Verpackungsgewicht:

0,007 kg

 
  • Kleine Packungsgrösse
  • Glaslinsenoptiken für effiziente optische Kopplung
  • Aufrechte oder umgekehrte Montagemöglichkeit
  • Flach und klein für flexibles Layout mehrerer Kanäle und benutzerdefinierter Anordnungen
  • Kompatibel mit automatisierten Lötprozessen: IR-Reflow, Dampfphase, Lötwelle, Konfektionsofen
  • Tape und Reel Packungsoption - kompatibel mit Bestückungsmaschinen


Sperrspannung: 50 V
Wellenlänge der maximalen Fotoempfindlichkeit: 880 nm
Abstrahlwinkel: 28 °
Fotostrom: 6 µA
Gehäuse: SMD
Dunkelstrom: 5 nA

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
Wellenlänge der maximalen Fotoempfindlichkeit 880 nm
Kollektorstrom 50 mA mA
Kollektor-Emitter Spannung 50 V
Abstrahlwinkel 80 ° °
Gehäuse TO-18
Fotostrom min. 0.63 mA
Fotostrom max. 1.5 mA

Anschlüsse 3
Fotostrom 0.63...1.5 mA
Abbildung 3

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
Erfassungswinkel 50 x 50 °
Versorgungsspannung 2...15 VDC
Betriebstemperatur -40...+70 °C

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Silizium-Fotodiode im Keramik-Gehäuse
  • Mit grossem, lichtempfindlichem Chip
  • Geeignet zur Messung und Justierung von Laserdioden
  • Der Kurzschlussstrom der Fotodiode, geteilt durch die Empfindlichkeit der Diode bei der eingehenden Wellenlänge, ergibt die Abstrahlleistung der Laserdiode
  • Bei der Messung sollte die Sättigung der Fotodiode vermieden werden

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Die Avalanche-Fotodiode ist der empfindlichste Lichtsensor auf Halbleiterbasis
  • Der Photostrom ist der gleiche wie bei einer herkömmlichen Fotodiode, er wird jedoch in einer Schicht durch ein elektrisches Feld verstärkt
  • Die angeregten Elektronen regen weitere Elektronen an und so ergibt sich ein "Lawinen-Effekt"
  • Das Signal wird etwa 100fach verstärkt
  • Avalanche-Fotodioden reagieren empfindlich auf Spannungs- und Temperaturänderungen

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
Die SD1440-Serie besteht aus einem NPN-Siliziumphototransistor, der in einem Koaxialgehäuse im kompakten Metallbehälter mit Glaslinsen montiert ist. Das Gehäuse kann optional über eine an das Gehäuse angeschweißte Lasche oder Anschlussdraht verfügen (SD1440-XXXL). Beide Anschlussdrähte sind flexibel und lassen sich so verformen, dass sie für verschiedene Befestigungskonfigurationen passen.

• Kompaktes Koaxial-Metallgehäuse
• Aufnahmewinkel von 24 ° (nominal)
• Große Empfindlichkeitsbereiche
• Großer Betriebstemperaturbereich [-55 °C bis 125 °C]
• Mechanisch und spektral an SE1450 und SE1470 Infrarot-Emissionsdioden angepasst

Technische Produktdaten:
Produkttyp: IR-Komponente
Winkliges Ansprechen (Grad): 24
Lichtstromminimum: 3,0 mA
Pakettyp: Koaxial, verbleites Gehäuse
Umgekehrte Durchschlagspannung: 50 V
Ausgangswellenlänge: 935 nm
Anstiegs- und Abfallzeit: 15 µs
Verlustleistung: 75 mW
Betriebstemperatur: -55 ... +125 °C
Dunkelstrom: 100 nA
Kollektor-Emitter-Durchschlagspannung: 30 V
Emitter-Kollektor-Durchschlagspannung: 5 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 0,4 V

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
Die SDP8405-Serie besteht aus einem NPN Photodarlington aus Silizium, der in ein transparentes Kunststoffgehäuse T-1 spritzgepresst ist. Das bei diesem Gerät angewandte Spritzpress-Verfahren gewährleistet im Vergleich zu anderen Vergussverfahren eine überragende Leistung der optischen Mittellinie. Die Längen der Anschlussdrähte sind stufenartig, um eine einfache Erkennung der Polarität zu ermöglichen.

• Kunststoffgehäuse T-1
• Aufnahmewinkel von 20 ° (nominal)
• Gleichmäßige optische Eigenschaften
• Große Empfindlichkeitsbereiche
• Mechanisch und spektral an SEP8505 und SEP8705 Infrarot-Emissionsdioden angepasst

Technische Produktdaten:
Produkttyp: IR-Komponente
Winkliges Ansprechen (Grad): 20
Lichtstromminimum: 12,0 mA
Lichtstrommaximum: 24,0 mA
Pakettyp: T1
Gehäusekomponenten: Kunststoff
Gehäusefarbe: Durchsichtig
Anstiegs- und Abfallzeit: 15 µs
Verlustleistung: 70 mW
Betriebstemperatur: -40 ... +85 °C
Dunkelstrom: 100 nA
Kollektor-Emitter-Durchschlagspannung: 30 V
Emitter-Kollektor-Durchschlagspannung: 5 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 0,4 V

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
Der SDP8406 ist ein NPN-Phototransistor aus Silizium, der in ein seitlich ausgerichtetes transparentes Kunststoffgehäuse eingegossen ist. Der Chip wird so positioniert, dass er eine Strahlung durch eine Kunststofflinse von der Seite des Gehäuses aufnehmen kann.

• Seitlich ausgerichtetes Kunststoffgehäuse
• Aufnahmewinkel von 50 ° (nominal)
• Große Empfindlichkeitsbereiche
• Mechanisch und spektral an SEP8506 und SEP8706 Infrarot-Emissionsdioden angepasst

Technische Produktdaten:
Serienname: Phototransistor
Produkttyp: IR-Komponente
Winkliges Ansprechen (Grad): 50
Lichtstromminimum: 3,40 mA
Lichtstrommaximum: 6,50 mA
Pakettyp: Seitlich ausgerichtet
Gehäusekomponenten: Kunststoff
Gehäusefarbe: Durchsichtig
Anstiegs- und Abfallzeit: 15 µs
Verlustleistung: 100 mW
Betriebstemperatur: -40 ... +85 °C
Dunkelstrom: 100 nA
Kollektor-Emitter-Durchschlagspannung: 30 V
Emitter-Kollektor-Durchschlagspannung: 5 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 0,4 V

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
Die SDP86XX-Serie besteht aus einer Familie von Single-chip-Detektoren des Typs Optoschmitt IC, die in ein seitlich ausgerichtetes schwarzes Kunststoffgehäuse eingegossen sind, um die Auswirkungen des sichtbaren Umgebungslichts zu minimieren. Der Photodetektor besteht aus Photodiode, Verstärker, Spannungsregler, Schmitt-Auslöser und NPN-Ausgangstransistor mit 10 kO Pullup-Widerstand (nominal). Die Anstiegs- und Abfallzeiten des Ausgangs sind unabhängig von der Änderungsrate des Auflichts. Die Empfindlichkeit des Detektors wurde intern temperaturkompensiert. Die Flexibilität der Verwendung wird durch eine Auswahl von drei unterschiedlichen Leiterkonfigurationen erhöht, In-Line (SDP8601/8611), 0,05 Zoll (1,27 mm) Offset-Pinkreis (SDP8600/8610) und 0,10 Zoll (2,54 mm) Offset-Mitte-Draht (SDP8602/8612).
Polarität:
Puffer -Ausgang ist HI (hoch), wenn die Auflichtintensität den Einschaltschwellenwert übersteigt.
Wandler - Ausgang ist LO (niedrig), wenn die Lichtintensität den Einschaltschwellenwert übersteigt.

• Seitlich ausgerichtetes Kunststoffgehäuse
• Aufnahmewinkel von 55 ° (nominal)
• Große Empfindlichkeitsbereiche
• Kompatibel mit TTL/LSTTL/CMOS
• Puffer (SDP8600/8601/8602) oder invertierende (SDP8610/8611/8612) Logik (optional)
• Drei unterschiedliche Leiterabstände
• Mechanisch und spektral an SEP8506 und SEP8706 Infrarot-Emissionsdioden angepasst

Techniche Produktdaten:
Winkliges Ansprechen (Grad): 50
Schwellen-Strahlungsdichte zum Einschalten: 2,5 mW/cm² (max.)
Ausgabe: 10 kOhm Pullup-Widerstand
Ausgangslogik: Puffer
Pakettyp: Seitlich ausgerichtet
Gehäusekomponenten: Kunststoff
Gehäusefarbe: Schwarz
Verlustleistung: 100 mW
Betriebstemperatur: -40 ... +85 °C
Hysterese (H): 5 % bis 30 %
Versorgungsspannung: 12,0 V DC
High-Level-Ausgangsspannung: 2,4 V Minimum
Low-Level-Ausgangsspannung: 0,4 V Maximum
Kurzschluss-Ausgangsstrom: -20 ... -100 mA
Integrierter Pullup-Widerstand: 5,0 kOhm min., 10,0 kOhm typ., 20,0 kOhm max.
Anstiegszeit des Ausgangs: 60 ns
Abfallzeit des Ausgangs: 15 ns
Ausbreitungsverzögerung, Low-High, High-Low: 5,0 µs
Uhrenfrequenz: 100 kHz
Strahlungsdichte: 25 mW/cm²
Versorgungsstrom (max.): 12 mA @ 25 °C
Einschaltpunkt: 62 µW/cm² @ 25 °C
Ausgangsstrom: 18 mA max.

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Metallgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    2 mm

  • Wellenlänge:

    880 nm

  • Abstrahlwinkel:

    24 °

  • Leistung:

    75 m W

  • Betriebsspannung:

    1,8 V

  • Betriebsstrom:

    50 mA

  • Ø:

    2,0 mm

  • Länge:

    3,1 mm

  • Temperaturbereich:

    -55 ... +125 °C

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Metallgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    2 mm

  • Wellenlänge:

    880 nm

  • Abstrahlwinkel:

    24 °

  • Leistung:

    75 m W

  • Betriebsspannung:

    1,8 V

  • Betriebsstrom:

    50 mA

  • Ø:

    2,0 mm

  • Länge:

    3,1 mm

  • Temperaturbereich:

    -55 ... +125 °C

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Metallgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    TO-46

  • Wellenlänge:

    880 nm

  • Abstrahlwinkel:

    90 °

  • Leistung:

    150 m W

  • Betriebsspannung:

    1,9 V

  • Betriebsstrom:

    100 mA

  • Ø:

    4,7 mm

  • Länge:

    3,9 mm

  • Temperaturbereich:

    -55 ... +125 °C

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    T1

  • Wellenlänge:

    880 nm

  • Abstrahlwinkel:

    15 °

  • Leistung:

    70 m W

  • Betriebsspannung:

    1,7 V

  • Betriebsstrom:

    50 mA

  • Ø:

    3,0 mm

  • Länge:

    6,35 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    Mini-Gehäuse

  • Wellenlänge:

    880 nm

  • Abstrahlwinkel:

    50 °

  • Leistung:

    100 m W

  • Betriebsspannung:

    1,7 V

  • Betriebsstrom:

    50 mA

  • Länge:

    5,7 mm

  • Höhe:

    4,4 mm

  • Breite:

    1,5 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Wellenlänge:

    400 ... 1100 nm

  • Leistung:

    100 m W

  • Betriebsspannung:

    50 V

  • Ø:

    5,9 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +100 °C

  • Typ:

    SFH 203

Verpackungsgewicht:

0,000 kg