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Artikel-Nr.: BPV 10NF

  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Wellenlänge:

    870 … 950 nm

  • Leistung:

    215 m W

  • Betriebsspannung:

    12 V

  • Ø:

    5,75 mm

  • Höhe:

    8,6 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +100 °C

  • Typ:

    BPV 10NF

 
Artikel-Nr.: IR 12-21C EVL

 
Artikel-Nr.: OP 133

 
  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Metallgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    2 mm

  • Wellenlänge:

    880 nm

  • Abstrahlwinkel:

    24 °

  • Leistung:

    75 m W

  • Betriebsspannung:

    1,8 V

  • Betriebsstrom:

    50 mA

  • Ø:

    2,0 mm

 
Artikel-Nr.: IR 19-21C EVL

  • Infrarot-Leuchtdiode mit hoher Zuverlässigkeit
  • Hohe Strahlstärke
  • Rastermass 2.54 mm
  • Niedrige Durchlassspannung
 
Artikel-Nr.: HIR 1921C-L289

  • Infrarot-Leuchtdiode mit hoher Zuverlässigkeit
  • Hohe Strahlstärke
  • Rastermass 2.54 mm
  • Niedrige Durchlassspannung
 
  • Ausführung:

    Sender

  • Technologie:

    optische Übertragung / Lichtwellentechnik

  • Typ:

    LWL Komponenten

 
Artikel-Nr.: TORX 1952

  • Ausführung:

    Empfänger

  • Typ:

    LWL Komponenten

 
Artikel-Nr.: SFH 203

  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Wellenlänge:

    400 ... 1100 nm

  • Leistung:

    100 m W

  • Betriebsspannung:

    50 V

  • Ø:

    5,9 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +100 °C

  • Typ:

    SFH 203

 
Artikel-Nr.: SFH 203 P

  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Wellenlänge:

    400 ... 1100 nm

  • Leistung:

    100 m W

  • Betriebsspannung:

    50 V

  • Ø:

    5,9 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +100 °C

  • Typ:

    SFH 203 P

 
Artikel-Nr.: SFH 203 FA

  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Wellenlänge:

    740 ... 1100 nm

  • Leistung:

    100 m W

  • Betriebsspannung:

    50 V

  • Ø:

    5,9 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +100 °C

  • Typ:

    SFH 203 FA

 
Artikel-Nr.: SIR 204 EVL

 
Artikel-Nr.: EL IR 204-A

  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    T1

  • Wellenlänge:

    940 nm

  • Abstrahlwinkel:

    35 °

  • Leistung:

    35 mW/sr

  • Leistung:

    150 m W

  • Betriebsspannung:

    1,4 V

  • Betriebsstrom:

    100 mA

 
Artikel-Nr.: HIR 204/H0

 
Artikel-Nr.: HIR 204C

 
Artikel-Nr.: SFH 205 F

  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Wellenlänge:

    800 ... 1100 nm

  • Leistung:

    150 m W

  • Betriebsspannung:

    32 V

  • Länge:

    5,1 mm

  • Höhe:

    6,9 mm

  • Breite:

    4,1 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +100 °C

 
Artikel-Nr.: SFH 205 FA

  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Wellenlänge:

    740 ... 1100 nm

  • Leistung:

    150 m W

  • Betriebsspannung:

    32 V

  • Länge:

    5,1 mm

  • Höhe:

    6,9 mm

  • Breite:

    4,1 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +100 °C

 
Artikel-Nr.: BPW 20RF TEL

 
Artikel-Nr.: BPW 21

  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Metallgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    TO-5

  • Wellenlänge:

    350 ... 820 nm

  • Leistung:

    250 m W

  • Betriebsspannung:

    10 V

  • Ø:

    9,5 mm

  • Höhe:

    3,4 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +80 °C

 
Artikel-Nr.: SFH 213 FA OSO

  • Fotodioden: Zum Betrieb ist eine externe Spannungsquelle nötig. Ein auftreffender Lichtstrom führt zum Anstieg des Sperrstroms der Diode.
  • Je höher die angelegte Sperrspannung, desto schneller reagiert die Fotodiode auf Änderungen des Lichtsignals
 
Artikel-Nr.: SFH 229 OSO

  • Fotodioden: Zum Betrieb ist eine externe Spannungsquelle nötig. Ein auftreffender Lichtstrom führt zum Anstieg des Sperrstroms der Diode.
  • Je höher die angelegte Sperrspannung, desto schneller reagiert die Fotodiode auf Änderungen des Lichtsignals
 
Artikel-Nr.: IR 2621CL110 EVL

  • Infrarot-Leuchtdiode mit hoher Zuverlässigkeit
  • Hohe Strahlstärke
  • Rastermass 2.54 mm
  • Niedrige Durchlassspannung
 
  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    T1 3/4

  • Wellenlänge:

    950 nm

  • Abstrahlwinkel:

    25 °

  • Leistung:

    15 mW/sr

  • Leistung:

    220 m W

  • Betriebsspannung:

    1,3 V

  • Betriebsstrom:

    130 mA

 
  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    radial bedrahtet

  • Bauform:

    T1 3/4

  • Wellenlänge:

    950 nm

  • Abstrahlwinkel:

    10 °

  • Leistung:

    80 mW/sr

  • Leistung:

    165 m W

  • Betriebsspannung:

    1,3 V

  • Betriebsstrom:

    100 mA

 
Artikel-Nr.: PIR 555 28027

  • Modell:

    PIR-Module

  • Temperaturbereich:

    0 ... 50 °C

  • Eingangsspannung:

    3 ... 6 VDC

 
Artikel-Nr.: OP 290A

 
Artikel-Nr.: OP 293B

gelb / transparent
 
Artikel-Nr.: TSOP 31230

  • Modell:

    PIN-Diode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Länge:

    12,5 mm

  • Breite:

    10 mm

  • Temperaturbereich:

    -25 ... +85 °C

  • Frequenz:

    30 kHz

  • Eingangsspannung:

    -0,3 ... +6,0 VDC

  • Ausgangsspannung:

    -0,3 ... +0,3 V DC

  • Typ:

    TSOP 312 Serie

 
Artikel-Nr.: TSOP 31233

  • Modell:

    PIN-Diode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Länge:

    12,5 mm

  • Breite:

    10 mm

  • Temperaturbereich:

    -25 ... +85 °C

  • Frequenz:

    33 kHz

  • Eingangsspannung:

    -0,3 ... +6,0 VDC

  • Ausgangsspannung:

    -0,3 ... +0,3 V DC

  • Typ:

    TSOP 312 Serie

 
Artikel-Nr.: TSOP 31236

  • Modell:

    PIN-Diode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Länge:

    12,5 mm

  • Breite:

    10 mm

  • Temperaturbereich:

    -25 ... +85 °C

  • Frequenz:

    36 kHz

  • Eingangsspannung:

    -0,3 ... +6,0 VDC

  • Ausgangsspannung:

    -0,3 ... +0,3 V DC

  • Typ:

    TSOP 312 Serie

 
Artikel-Nr.: TSOP 31238

  • Modell:

    PIN-Diode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Länge:

    12,5 mm

  • Breite:

    10 mm

  • Temperaturbereich:

    -25 ... +85 °C

  • Frequenz:

    38 kHz

  • Eingangsspannung:

    -0,3 ... +6,0 VDC

  • Ausgangsspannung:

    -0,3 ... +0,3 V DC

  • Typ:

    TSOP 312 Serie

 
Artikel-Nr.: TSOP 31240

  • Modell:

    PIN-Diode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Länge:

    12,5 mm

  • Breite:

    10 mm

  • Temperaturbereich:

    -25 ... +85 °C

  • Frequenz:

    40 kHz

  • Eingangsspannung:

    -0,3 ... +6,0 VDC

  • Ausgangsspannung:

    -0,3 ... +0,3 V DC

  • Typ:

    TSOP 312 Serie

 
Artikel-Nr.: TSOP 31256

  • Modell:

    PIN-Diode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Länge:

    12,5 mm

  • Breite:

    10 mm

  • Temperaturbereich:

    -25 ... +85 °C

  • Frequenz:

    56 kHz

  • Eingangsspannung:

    -0,3 ... +6,0 VDC

  • Ausgangsspannung:

    -0,3 ... +0,3 V DC

  • Typ:

    TSOP 312 Serie

 
Artikel-Nr.: IR 323 EVL

 
Artikel-Nr.: HIR 333-A

 
Artikel-Nr.: IR 333-H0L10 EVL

 
Artikel-Nr.: IR 333/S2 EVL

 
Artikel-Nr.: IR 333A EVL

 
Artikel-Nr.: TPS 334

  • Modell:

    Thermo Sensor

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    TO-39

  • Betriebsspannung:

    75 V

  • Ø:

    9,3 mm

  • Höhe:

    17,4 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +100 °C

  • Typ:

    TPS 334

 
Artikel-Nr.: BPW 34 OSO

  • Fotodioden: Zum Betrieb ist eine externe Spannungsquelle nötig. Ein auftreffender Lichtstrom führt zum Anstieg des Sperrstroms der Diode.
  • Je höher die angelegte Sperrspannung, desto schneller reagiert die Fotodiode auf Änderungen des Lichtsignals
 
Artikel-Nr.: BPW 34

  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Wellenlänge:

    400 ... 1100 nm

  • Leistung:

    150 m W

  • Betriebsspannung:

    32 V

  • Länge:

    4,5 mm

  • Höhe:

    1,2 mm

  • Breite:

    4,0 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +100 °C

 
Artikel-Nr.: BPW 34-FS OSO

  • Fotodioden: Zum Betrieb ist eine externe Spannungsquelle nötig. Ein auftreffender Lichtstrom führt zum Anstieg des Sperrstroms der Diode.
  • Je höher die angelegte Sperrspannung, desto schneller reagiert die Fotodiode auf Änderungen des Lichtsignals
 
  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Metallgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    TO-46

  • Wellenlänge:

    880 nm

  • Abstrahlwinkel:

    90 °

  • Leistung:

    150 m W

  • Betriebsspannung:

    1,9 V

  • Betriebsstrom:

    100 mA

  • Ø:

    4,7 mm

 
Artikel-Nr.: IR 383 EVL

 
Artikel-Nr.: HIR 383C-L289

  • Hohe Zuverlässigkeit
  • Hohe Strahlstärke
  • Rastermass 2.54 mm
  • Niedrige Durchlassspannung
 
Artikel-Nr.: BPW 41N TEL

 
  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    T1

  • Wellenlänge:

    940 nm

  • Abstrahlwinkel:

    20 °

  • Leistung:

    90 mW/sr

  • Leistung:

    190 m W

  • Betriebsspannung:

    1,6 V

  • Betriebsstrom:

    100 mA

 
Artikel-Nr.: SFH 4356P

  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    T1

  • Wellenlänge:

    850 nm

  • Abstrahlwinkel:

    70 °

  • Leistung:

    12 mW/sr

  • Leistung:

    200 m W

  • Betriebsspannung:

    1,7 V

  • Betriebsstrom:

    100 mA

 
Artikel-Nr.: TSAL 4400

  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    T1

  • Wellenlänge:

    940 nm

  • Abstrahlwinkel:

    25 °

  • Leistung:

    36 mW/sr

  • Leistung:

    160 m W

  • Betriebsspannung:

    1,35 V

  • Betriebsstrom:

    100 mA

 
Artikel-Nr.: SFH 4544 OSO

Zum Aufbau von drahtlosen Übertragungsstrecken und Abtastsystemen
 
  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    T1 3/4

  • Wellenlänge:

    940 nm

  • Abstrahlwinkel:

    20 °

  • Leistung:

    130 mW/sr

  • Leistung:

    180 m W

  • Betriebsspannung:

    1,5 V

  • Betriebsstrom:

    100 mA

 
  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    T1 3/4

  • Wellenlänge:

    850 nm

  • Abstrahlwinkel:

    3 °

  • Leistung:

    700 mW/sr

  • Leistung:

    180 m W

  • Betriebsspannung:

    1,5 V

  • Betriebsstrom:

    100 mA

 
Artikel-Nr.: TSOP 4830

  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Leistung:

    10 m W

  • Temperaturbereich:

    -25 ... +85 °C

  • Frequenz:

    30 kHz

  • Eingangsspannung:

    -0,3 ... +6,0 VDC

  • Ausgangsspannung:

    -0,3 ... +5,5 V DC

  • Typ:

    TSOP 48 Serie

 
Artikel-Nr.: TSOP 4833

  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Leistung:

    10 m W

  • Temperaturbereich:

    -25 ... +85 °C

  • Frequenz:

    33 kHz

  • Eingangsspannung:

    -0,3 ... +6,0 VDC

  • Ausgangsspannung:

    -0,3 ... +5,5 V DC

  • Typ:

    TSOP 48 Serie

 
Artikel-Nr.: TSOP 4836

  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Leistung:

    10 m W

  • Temperaturbereich:

    -25 ... +85 °C

  • Frequenz:

    36 kHz

  • Eingangsspannung:

    -0,3 ... +6,0 VDC

  • Ausgangsspannung:

    -0,3 ... +5,5 V DC

  • Typ:

    TSOP 48 Serie

 
Artikel-Nr.: TSOP 4838

  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Leistung:

    10 m W

  • Temperaturbereich:

    -25 ... +85 °C

  • Frequenz:

    38 kHz

  • Eingangsspannung:

    -0,3 ... +6,0 VDC

  • Ausgangsspannung:

    -0,3 ... +5,5 V DC

  • Typ:

    TSOP 48 Serie

 
Artikel-Nr.: TSOP 4840

  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Leistung:

    10 m W

  • Temperaturbereich:

    -25 ... +85 °C

  • Frequenz:

    40 kHz

  • Eingangsspannung:

    -0,3 ... +6,0 VDC

  • Ausgangsspannung:

    -0,3 ... +5,5 V DC

  • Typ:

    TSOP 48 Serie

 
Artikel-Nr.: TSOP 4856

  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Leistung:

    10 m W

  • Temperaturbereich:

    -25 ... +85 °C

  • Frequenz:

    56 kHz

  • Eingangsspannung:

    -0,3 ... +6,0 VDC

  • Ausgangsspannung:

    -0,3 ... +5,5 V DC

  • Typ:

    TSOP 48 Serie

 
Artikel-Nr.: SFH 487P OSO

Zum Aufbau von drahtlosen Übertragungsstrecken und Abtastsystemen
 
Artikel-Nr.: TSSP 4P38

  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Temperaturbereich:

    -25 ... +85 °C

  • Eingangsspannung:

    2,5 ... 5,5 VDC

  • Typ:

    TSSP 4P38

 
Artikel-Nr.: TSFF 5210 VIS

Standard-Plastikgehäuse
 
Artikel-Nr.: TSUS 5400 TEL

Standard-Plastikgehäuse
 
Artikel-Nr.: BPX 61

  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Metallgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    TO-5

  • Wellenlänge:

    400 ... 1100 nm

  • Leistung:

    250 m W

  • Betriebsspannung:

    32 V

  • Ø:

    9,5 mm

  • Höhe:

    3,4 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +125 °C

 
Artikel-Nr.: TSAL 6100 VIS

Standard-Plastikgehäuse
 
Artikel-Nr.: BPX 65

  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Metallgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    TO-18

  • Wellenlänge:

    350 ... 1100 nm

  • Leistung:

    250 m W

  • Betriebsspannung:

    50 V

  • Ø:

    5,6 mm

  • Höhe:

    5,5 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +125 °C

 
Artikel-Nr.: HIR 7373B-L289

  • Hohe Zuverlässigkeit
  • Hohe Strahlstärke
  • Rastermass 2.54 mm
  • Niedrige Durchlassspannung
 
Artikel-Nr.: IR 7373C EVL

  • Hohe Zuverlässigkeit
  • Hohe Strahlstärke
  • Rastermass 2.54 mm
  • Niedrige Durchlassspannung
 
  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    Mini-Gehäuse

  • Wellenlänge:

    880 nm

  • Abstrahlwinkel:

    25 °

  • Leistung:

    2,5 mW/sr

  • Leistung:

    200 m W

  • Betriebsspannung:

    1,5 V

  • Betriebsstrom:

    100 mA

 
  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Wellenlänge:

    790 ... 1050 nm

  • Leistung:

    215 m W

  • Betriebsspannung:

    60 V

  • Länge:

    6,8 mm

  • Höhe:

    4 mm

  • Breite:

    5 mm

  • Temperaturbereich:

    -55 ... +100 °C

 
Artikel-Nr.: SDP 8600-001

Die SDP86XX-Serie besteht aus einer Familie von Single-chip-Detektoren des Typs Optoschmitt IC, die in ein seitlich ausgerichtetes schwarzes Kunststoffgehäuse eingegossen sind, um die Auswirkungen des sichtbaren Umgebungslichts zu minimieren. Der Photodetektor besteht aus Photodiode, Verstärker, Spannungsregler, Schmitt-Auslöser und NPN-Ausgangstransistor mit 10 kO Pullup-Widerstand (nominal). Die Anstiegs- und Abfallzeiten des Ausgangs sind unabhängig von der Änderungsrate des Auflichts. Die Empfindlichkeit des Detektors wurde intern temperaturkompensiert. Die Flexibilität der Verwendung wird durch eine Auswahl von drei unterschiedlichen Leiterkonfigurationen erhöht, In-Line (SDP8601/8611), 0,05 Zoll (1,27 mm) Offset-Pinkreis (SDP8600/8610) und 0,10 Zoll (2,54 mm) Offset-Mitte-Draht (SDP8602/8612).
Polarität:
Puffer -Ausgang ist HI (hoch), wenn die Auflichtintensität den Einschaltschwellenwert übersteigt.
Wandler - Ausgang ist LO (niedrig), wenn die Lichtintensität den Einschaltschwellenwert übersteigt.

• Seitlich ausgerichtetes Kunststoffgehäuse
• Aufnahmewinkel von 55 ° (nominal)
• Große Empfindlichkeitsbereiche
• Kompatibel mit TTL/LSTTL/CMOS
• Puffer (SDP8600/8601/8602) oder invertierende (SDP8610/8611/8612) Logik (optional)
• Drei unterschiedliche Leiterabstände
• Mechanisch und spektral an SEP8506 und SEP8706 Infrarot-Emissionsdioden angepasst

Techniche Produktdaten:
Winkliges Ansprechen (Grad): 50
Schwellen-Strahlungsdichte zum Einschalten: 2,5 mW/cm² (max.)
Ausgabe: 10 kOhm Pullup-Widerstand
Ausgangslogik: Puffer
Pakettyp: Seitlich ausgerichtet
Gehäusekomponenten: Kunststoff
Gehäusefarbe: Schwarz
Verlustleistung: 100 mW
Betriebstemperatur: -40 ... +85 °C
Hysterese (H): 5 % bis 30 %
Versorgungsspannung: 12,0 V DC
High-Level-Ausgangsspannung: 2,4 V Minimum
Low-Level-Ausgangsspannung: 0,4 V Maximum
Kurzschluss-Ausgangsstrom: -20 ... -100 mA
Integrierter Pullup-Widerstand: 5,0 kOhm min., 10,0 kOhm typ., 20,0 kOhm max.
Anstiegszeit des Ausgangs: 60 ns
Abfallzeit des Ausgangs: 15 ns
Ausbreitungsverzögerung, Low-High, High-Low: 5,0 µs
Uhrenfrequenz: 100 kHz
Strahlungsdichte: 25 mW/cm²
Versorgungsstrom (max.): 12 mA @ 25 °C
Einschaltpunkt: 62 µW/cm² @ 25 °C
Ausgangsstrom: 18 mA max.
 
Artikel-Nr.: SEP 8705-003

  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    T1

  • Wellenlänge:

    880 nm

  • Abstrahlwinkel:

    15 °

  • Leistung:

    70 m W

  • Betriebsspannung:

    1,7 V

  • Betriebsstrom:

    50 mA

  • Ø:

    3,0 mm

 
Artikel-Nr.: SEP 8706-003

  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    Mini-Gehäuse

  • Wellenlänge:

    880 nm

  • Abstrahlwinkel:

    50 °

  • Leistung:

    100 m W

  • Betriebsspannung:

    1,7 V

  • Betriebsstrom:

    50 mA

  • Länge:

    5,7 mm

 
Artikel-Nr.: LHI 878 RF

  • Modell:

    Pyrolektrischer Infrarot Sensor

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    TO-39

  • Abstrahlwinkel:

    95/95 °

  • Betriebsspannung:

    2 - 12 V

  • Ø:

    9,2 mm

  • Höhe:

    4,2 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

  • Typ:

    LHI 878 RF

 
Artikel-Nr.: OP 905

 
Artikel-Nr.: IR 908-7C-F EVL


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