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Artikel-Nr.: BL0307-50-63 KB

 
Artikel-Nr.: BPV 10NF

  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Wellenlänge:

    870 … 950 nm

  • Leistung:

    215 m W

  • Betriebsspannung:

    12 V

  • Ø:

    5,75 mm

  • Höhe:

    8,6 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +100 °C

  • Typ:

    BPV 10NF

 
Artikel-Nr.: BPW 20RF TEL

 
Artikel-Nr.: BPW 21

  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Metallgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    TO-5

  • Wellenlänge:

    350 ... 820 nm

  • Leistung:

    250 m W

  • Betriebsspannung:

    10 V

  • Ø:

    9,5 mm

  • Höhe:

    3,4 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +80 °C

 
Artikel-Nr.: BPW 34

  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Wellenlänge:

    400 ... 1100 nm

  • Leistung:

    150 m W

  • Betriebsspannung:

    32 V

  • Länge:

    4,5 mm

  • Höhe:

    1,2 mm

  • Breite:

    4,0 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +100 °C

 
Artikel-Nr.: BPW 34 OSO

  • Fotodioden: Zum Betrieb ist eine externe Spannungsquelle nötig. Ein auftreffender Lichtstrom führt zum Anstieg des Sperrstroms der Diode.
  • Je höher die angelegte Sperrspannung, desto schneller reagiert die Fotodiode auf Änderungen des Lichtsignals
 
Artikel-Nr.: BPW 34-FS OSO

  • Fotodioden: Zum Betrieb ist eine externe Spannungsquelle nötig. Ein auftreffender Lichtstrom führt zum Anstieg des Sperrstroms der Diode.
  • Je höher die angelegte Sperrspannung, desto schneller reagiert die Fotodiode auf Änderungen des Lichtsignals
 
Artikel-Nr.: BPW 41N TEL

 
  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Wellenlänge:

    790 ... 1050 nm

  • Leistung:

    215 m W

  • Betriebsspannung:

    60 V

  • Länge:

    6,8 mm

  • Höhe:

    4 mm

  • Breite:

    5 mm

  • Temperaturbereich:

    -55 ... +100 °C

 
Artikel-Nr.: BPX 61

  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Metallgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    TO-5

  • Wellenlänge:

    400 ... 1100 nm

  • Leistung:

    250 m W

  • Betriebsspannung:

    32 V

  • Ø:

    9,5 mm

  • Höhe:

    3,4 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +125 °C

 
Artikel-Nr.: BPX 65

  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Metallgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    TO-18

  • Wellenlänge:

    350 ... 1100 nm

  • Leistung:

    250 m W

  • Betriebsspannung:

    50 V

  • Ø:

    5,6 mm

  • Höhe:

    5,5 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +125 °C

 
  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    T1 3/4

  • Wellenlänge:

    950 nm

  • Abstrahlwinkel:

    22 °

  • Leistung:

    14 mW/sr

  • Leistung:

    210 m W

  • Betriebsspannung:

    1,3 V

  • Betriebsstrom:

    150 mA

 
Artikel-Nr.: EL IR 204-A

  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    T1

  • Wellenlänge:

    940 nm

  • Abstrahlwinkel:

    35 °

  • Leistung:

    35 mW/sr

  • Leistung:

    150 m W

  • Betriebsspannung:

    1,4 V

  • Betriebsstrom:

    100 mA

 
  • Modell:

    Fresnel-Linse

  • Ausführung:

    Kunststoff

  • Bauform:

    rund

  • Ø:

    11 mm

  • Höhe:

    10,25 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +70 °C

  • Farbe:

    grau

  • Typ:

    IML-0650G

 
  • Modell:

    Fresnel-Linse

  • Ausführung:

    Kunststoff

  • Bauform:

    flach

  • Ø:

    11 mm

  • Länge:

    33,9 mm

  • Höhe:

    10,25 mm

  • Breite:

    26 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +70 °C

  • Farbe:

    naturweiß

 
Artikel-Nr.: HIR 1921C-L289

  • Infrarot-Leuchtdiode mit hoher Zuverlässigkeit
  • Hohe Strahlstärke
  • Rastermass 2.54 mm
  • Niedrige Durchlassspannung
 
Artikel-Nr.: HIR 204/H0

 
Artikel-Nr.: HIR 204C

 
Artikel-Nr.: HIR 333-A

 
Artikel-Nr.: HIR 383C-L289

  • Hohe Zuverlässigkeit
  • Hohe Strahlstärke
  • Rastermass 2.54 mm
  • Niedrige Durchlassspannung
 
Artikel-Nr.: HIR 7373B-L289

  • Hohe Zuverlässigkeit
  • Hohe Strahlstärke
  • Rastermass 2.54 mm
  • Niedrige Durchlassspannung
 
Für die Begrenzung des Erfassungsbereiches von Infrarot-Sensoren
 
Für die Begrenzung des Erfassungsbereiches von Infrarot-Sensoren
 
Artikel-Nr.: IR 12-21C EVL

 
Artikel-Nr.: IR 19-21C EVL

  • Infrarot-Leuchtdiode mit hoher Zuverlässigkeit
  • Hohe Strahlstärke
  • Rastermass 2.54 mm
  • Niedrige Durchlassspannung
 
Artikel-Nr.: IR 204 EVL

 
Artikel-Nr.: IR 204-P1 EVL

 
Artikel-Nr.: IR 2621CL110 EVL

  • Infrarot-Leuchtdiode mit hoher Zuverlässigkeit
  • Hohe Strahlstärke
  • Rastermass 2.54 mm
  • Niedrige Durchlassspannung
 
Artikel-Nr.: IR 323 EVL

 
Artikel-Nr.: IR 333-H0L10 EVL

 
Artikel-Nr.: IR 333/S2 EVL

 
Artikel-Nr.: IR 333A EVL

 
Artikel-Nr.: IR 383 EVL

 
Artikel-Nr.: IR 7373C EVL

  • Hohe Zuverlässigkeit
  • Hohe Strahlstärke
  • Rastermass 2.54 mm
  • Niedrige Durchlassspannung
 
Artikel-Nr.: IR 908-7C-F EVL

 
Artikel-Nr.: IR 928-6C-F EVL

  • Infrarot-Leuchtdiode mit hoher Zuverlässigkeit
  • Hohe Strahlstärke
  • Rastermass 2.54 mm
  • Niedrige Durchlassspannung
 
  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    Mini-Gehäuse

  • Wellenlänge:

    880 nm

  • Abstrahlwinkel:

    25 °

  • Leistung:

    2,5 mW/sr

  • Leistung:

    200 m W

  • Betriebsspannung:

    1,5 V

  • Betriebsstrom:

    100 mA

 
Artikel-Nr.: IRS-B210ST01-R1

 
Artikel-Nr.: IS471FE SHA

  • Einschliesslich Oszillator, Komparator und Demodulator
  • Sicher vor störendem Licht aufgrund von moduliertem IR-Signal
  • Geeignet für den Bau eines Näherungssensors
  • Die IR-LED wird über einen Zweileiteranschluss moduliert
 
Artikel-Nr.: L-7104F3BT KB

 
Artikel-Nr.: L-7104SF4BT KB

 
Artikel-Nr.: L12170 HMM

 
Artikel-Nr.: L5586 HMM

 
  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    T1 3/4

  • Wellenlänge:

    950 nm

  • Abstrahlwinkel:

    25 °

  • Leistung:

    15 mW/sr

  • Leistung:

    220 m W

  • Betriebsspannung:

    1,3 V

  • Betriebsstrom:

    130 mA

 
  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    radial bedrahtet

  • Bauform:

    T1 3/4

  • Wellenlänge:

    950 nm

  • Abstrahlwinkel:

    10 °

  • Leistung:

    80 mW/sr

  • Leistung:

    165 m W

  • Betriebsspannung:

    1,3 V

  • Betriebsstrom:

    100 mA

 
Artikel-Nr.: LHI 878 RF

  • Modell:

    Pyrolektrischer Infrarot Sensor

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    TO-39

  • Abstrahlwinkel:

    95/95 °

  • Betriebsspannung:

    2 - 12 V

  • Ø:

    9,2 mm

  • Höhe:

    4,2 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

  • Typ:

    LHI 878 RF

 
Artikel-Nr.: LHI 968

  • Modell:

    Pyrolektrischer Infrarot Sensor

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    TO-39

  • Abstrahlwinkel:

    110/110 °

  • Betriebsspannung:

    2 - 12 V

  • Ø:

    9,2 mm

  • Höhe:

    4,2 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

  • Typ:

    LHI 968

 
Artikel-Nr.: OP 133

 
Artikel-Nr.: OP 290A

 
Artikel-Nr.: OP 293B

gelb / transparent
 
Artikel-Nr.: OP 905

 
Artikel-Nr.: PIR 555 28027

  • Modell:

    PIR-Module

  • Temperaturbereich:

    0 ... 50 °C

  • Eingangsspannung:

    3 ... 6 VDC

 
Artikel-Nr.: RD IR-SENS

Erfassungswinkel 50 x 50 °
Versorgungsspannung 2...15 VDC
Betriebstemperatur -40...+70 °C
 
Artikel-Nr.: S10784

 
Artikel-Nr.: S1336-18BQ

 
Artikel-Nr.: S1337-66BR

  • Silizium-Fotodiode im Keramik-Gehäuse
  • Mit grossem, lichtempfindlichem Chip
  • Geeignet zur Messung und Justierung von Laserdioden
  • Der Kurzschlussstrom der Fotodiode, geteilt durch die Empfindlichkeit der Diode bei der eingehenden Wellenlänge, ergibt die Abstrahlleistung der Laserdiode
  • Bei der Messung sollte die Sättigung der Fotodiode vermieden werden
 
-25% Artikel-Nr.: S2381 HMM

  • Die Avalanche-Fotodiode ist der empfindlichste Lichtsensor auf Halbleiterbasis
  • Der Photostrom ist der gleiche wie bei einer herkömmlichen Fotodiode, er wird jedoch in einer Schicht durch ein elektrisches Feld verstärkt
  • Die angeregten Elektronen regen weitere Elektronen an und so ergibt sich ein "Lawinen-Effekt"
  • Das Signal wird etwa 100fach verstärkt
  • Avalanche-Fotodioden reagieren empfindlich auf Spannungs- und Temperaturänderungen
 
Artikel-Nr.: SDP 8600-001

Die SDP86XX-Serie besteht aus einer Familie von Single-chip-Detektoren des Typs Optoschmitt IC, die in ein seitlich ausgerichtetes schwarzes Kunststoffgehäuse eingegossen sind, um die Auswirkungen des sichtbaren Umgebungslichts zu minimieren. Der Photodetektor besteht aus Photodiode, Verstärker, Spannungsregler, Schmitt-Auslöser und NPN-Ausgangstransistor mit 10 kO Pullup-Widerstand (nominal). Die Anstiegs- und Abfallzeiten des Ausgangs sind unabhängig von der Änderungsrate des Auflichts. Die Empfindlichkeit des Detektors wurde intern temperaturkompensiert. Die Flexibilität der Verwendung wird durch eine Auswahl von drei unterschiedlichen Leiterkonfigurationen erhöht, In-Line (SDP8601/8611), 0,05 Zoll (1,27 mm) Offset-Pinkreis (SDP8600/8610) und 0,10 Zoll (2,54 mm) Offset-Mitte-Draht (SDP8602/8612).
Polarität:
Puffer -Ausgang ist HI (hoch), wenn die Auflichtintensität den Einschaltschwellenwert übersteigt.
Wandler - Ausgang ist LO (niedrig), wenn die Lichtintensität den Einschaltschwellenwert übersteigt.

• Seitlich ausgerichtetes Kunststoffgehäuse
• Aufnahmewinkel von 55 ° (nominal)
• Große Empfindlichkeitsbereiche
• Kompatibel mit TTL/LSTTL/CMOS
• Puffer (SDP8600/8601/8602) oder invertierende (SDP8610/8611/8612) Logik (optional)
• Drei unterschiedliche Leiterabstände
• Mechanisch und spektral an SEP8506 und SEP8706 Infrarot-Emissionsdioden angepasst

Techniche Produktdaten:
Winkliges Ansprechen (Grad): 50
Schwellen-Strahlungsdichte zum Einschalten: 2,5 mW/cm² (max.)
Ausgabe: 10 kOhm Pullup-Widerstand
Ausgangslogik: Puffer
Pakettyp: Seitlich ausgerichtet
Gehäusekomponenten: Kunststoff
Gehäusefarbe: Schwarz
Verlustleistung: 100 mW
Betriebstemperatur: -40 ... +85 °C
Hysterese (H): 5 % bis 30 %
Versorgungsspannung: 12,0 V DC
High-Level-Ausgangsspannung: 2,4 V Minimum
Low-Level-Ausgangsspannung: 0,4 V Maximum
Kurzschluss-Ausgangsstrom: -20 ... -100 mA
Integrierter Pullup-Widerstand: 5,0 kOhm min., 10,0 kOhm typ., 20,0 kOhm max.
Anstiegszeit des Ausgangs: 60 ns
Abfallzeit des Ausgangs: 15 ns
Ausbreitungsverzögerung, Low-High, High-Low: 5,0 µs
Uhrenfrequenz: 100 kHz
Strahlungsdichte: 25 mW/cm²
Versorgungsstrom (max.): 12 mA @ 25 °C
Einschaltpunkt: 62 µW/cm² @ 25 °C
Ausgangsstrom: 18 mA max.
 
  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Metallgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    2 mm

  • Wellenlänge:

    880 nm

  • Abstrahlwinkel:

    24 °

  • Leistung:

    75 m W

  • Betriebsspannung:

    1,8 V

  • Betriebsstrom:

    50 mA

  • Ø:

    2,0 mm

 
  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Metallgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    TO-46

  • Wellenlänge:

    880 nm

  • Abstrahlwinkel:

    90 °

  • Leistung:

    150 m W

  • Betriebsspannung:

    1,9 V

  • Betriebsstrom:

    100 mA

  • Ø:

    4,7 mm

 
Artikel-Nr.: SEP 8705-003

  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    T1

  • Wellenlänge:

    880 nm

  • Abstrahlwinkel:

    15 °

  • Leistung:

    70 m W

  • Betriebsspannung:

    1,7 V

  • Betriebsstrom:

    50 mA

  • Ø:

    3,0 mm

 
Artikel-Nr.: SEP 8706-003

  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    Mini-Gehäuse

  • Wellenlänge:

    880 nm

  • Abstrahlwinkel:

    50 °

  • Leistung:

    100 m W

  • Betriebsspannung:

    1,7 V

  • Betriebsstrom:

    50 mA

  • Länge:

    5,7 mm

 
Artikel-Nr.: SFH 203

  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Wellenlänge:

    400 ... 1100 nm

  • Leistung:

    100 m W

  • Betriebsspannung:

    50 V

  • Ø:

    5,9 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +100 °C

  • Typ:

    SFH 203

 
Artikel-Nr.: SFH 203 FA

  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Wellenlänge:

    740 ... 1100 nm

  • Leistung:

    100 m W

  • Betriebsspannung:

    50 V

  • Ø:

    5,9 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +100 °C

  • Typ:

    SFH 203 FA

 
Artikel-Nr.: SFH 203 P

  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Wellenlänge:

    400 ... 1100 nm

  • Leistung:

    100 m W

  • Betriebsspannung:

    50 V

  • Ø:

    5,9 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +100 °C

  • Typ:

    SFH 203 P

 
Artikel-Nr.: SFH 205 F

  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Wellenlänge:

    800 ... 1100 nm

  • Leistung:

    150 m W

  • Betriebsspannung:

    32 V

  • Länge:

    5,1 mm

  • Höhe:

    6,9 mm

  • Breite:

    4,1 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +100 °C

 
Artikel-Nr.: SFH 205 FA

  • Modell:

    Fotodiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Wellenlänge:

    740 ... 1100 nm

  • Leistung:

    150 m W

  • Betriebsspannung:

    32 V

  • Länge:

    5,1 mm

  • Höhe:

    6,9 mm

  • Breite:

    4,1 mm

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +100 °C

 
Artikel-Nr.: SFH 206K OSO

  • Fotodioden: Zum Betrieb ist eine externe Spannungsquelle nötig. Ein auftreffender Lichtstrom führt zum Anstieg des Sperrstroms der Diode.
  • Je höher die angelegte Sperrspannung, desto schneller reagiert die Fotodiode auf Änderungen des Lichtsignals
 
Artikel-Nr.: SFH 213 FA OSO

  • Fotodioden: Zum Betrieb ist eine externe Spannungsquelle nötig. Ein auftreffender Lichtstrom führt zum Anstieg des Sperrstroms der Diode.
  • Je höher die angelegte Sperrspannung, desto schneller reagiert die Fotodiode auf Änderungen des Lichtsignals
 
Artikel-Nr.: SFH 229 OSO

  • Fotodioden: Zum Betrieb ist eine externe Spannungsquelle nötig. Ein auftreffender Lichtstrom führt zum Anstieg des Sperrstroms der Diode.
  • Je höher die angelegte Sperrspannung, desto schneller reagiert die Fotodiode auf Änderungen des Lichtsignals
 
  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    T1

  • Wellenlänge:

    940 nm

  • Abstrahlwinkel:

    20 °

  • Leistung:

    90 mW/sr

  • Leistung:

    190 m W

  • Betriebsspannung:

    1,6 V

  • Betriebsstrom:

    100 mA

 
Artikel-Nr.: SFH 4356P

  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    T1

  • Wellenlänge:

    850 nm

  • Abstrahlwinkel:

    70 °

  • Leistung:

    12 mW/sr

  • Leistung:

    200 m W

  • Betriebsspannung:

    1,7 V

  • Betriebsstrom:

    100 mA

 
Artikel-Nr.: SFH 4544 OSO

Zum Aufbau von drahtlosen Übertragungsstrecken und Abtastsystemen
 
  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    T1 3/4

  • Wellenlänge:

    940 nm

  • Abstrahlwinkel:

    20 °

  • Leistung:

    130 mW/sr

  • Leistung:

    180 m W

  • Betriebsspannung:

    1,5 V

  • Betriebsstrom:

    100 mA

 
  • Modell:

    Infrarotdiode

  • Ausführung:

    Plastikgehäuse, bedrahtet

  • Bauform:

    T1 3/4

  • Wellenlänge:

    850 nm

  • Abstrahlwinkel:

    3 °

  • Leistung:

    700 mW/sr

  • Leistung:

    180 m W

  • Betriebsspannung:

    1,5 V

  • Betriebsstrom:

    100 mA


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