0
  • Warenkorb
  • 0,00 €
  • Versandkosten
  • ab 5,60 €

reichelt elektronik GmbH & Co. KG
Elektronikring 1
26452 Sande Germany

Telefon: +49 (0)4422 955-333
mail: info@reichelt.de
www.reichelt.de


Kategorien

Filtern nach

Preis

0 - 0 €

  • Hersteller

  • Typ

  • Ausführung

  • Technologie

  • Gehäuse

  • Uceo

  • Ic

  • Ptot

  • fT


  • Digital-Transistoren

  • Seite 
  •  1 - 16 von 31 Artikeln. 
  • Produktvergleich
  • Sortierung:
 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Digital-Transistoren

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    SOT-23

  • Uceo:

    50 V

  • Ic:

    100 mA

  • Ptot:

    0,2 W

  • fT:

    170 MHz

  • hFE:

    >70

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Digital-Transistoren

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    SOT-323

  • Uceo:

    50 V

  • Ic:

    100 mA

  • Ptot:

    0,25 W

  • fT:

    170 MHz

  • hFE:

    >70

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Digital-Transistoren

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    SOT-23

  • Uceo:

    50 V

  • Ic:

    100 mA

  • Ptot:

    0,2 W

  • fT:

    140 MHz

  • hFE:

    >20

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Digital-Transistoren

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    SOT-23

  • Uceo:

    50 V

  • Ic:

    100 mA

  • Ptot:

    0,25 W

  • hFE:

    >30

  • Bauform:

    SOT-23

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Digital-Transistoren

  • Technologie:

    PNP

  • Gehäuse:

    SOT-23

  • Uceo:

    50 V

  • Ic:

    100 mA

  • Ptot:

    0,25 W

  • hFE:

    >30

  • Bauform:

    SOT-23

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Digital-Transistoren

  • Technologie:

    PNP

  • Gehäuse:

    SOT-23

  • Uceo:

    50 V

  • Ic:

    100 mA

  • Ptot:

    0,25 W

  • hFE:

    >30

  • Bauform:

    SOT-23

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Digital-Transistoren

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    SOT-23

  • Uceo:

    50 V

  • Ic:

    100 mA

  • Ptot:

    0,200 W

  • fT:

    130 MHz

  • hFE:

    >30

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Digital-Transistoren

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    SOT-323

  • Uceo:

    50 V

  • Ic:

    100 mA

  • Ptot:

    0,25 W

  • fT:

    130 MHz

  • hFE:

    >30

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Digital-Transistoren

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    SOT-23

  • Uceo:

    50 V

  • Ic:

    100 mA

  • Ptot:

    0,2 W

  • fT:

    150 MHz

  • hFE:

    >70

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Digital-Transistoren

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    SOT-323

  • Uceo:

    50 V

  • Ic:

    100 mA

  • Ptot:

    0,25 W

  • fT:

    150 MHz

  • hFE:

    >70

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Digital-Transistoren

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    SOT-23

  • Uceo:

    50 V

  • Ic:

    100 mA

  • Ptot:

    0,25 W

  • fT:

    130 MHz

  • hFE:

    >50

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Digital-Transistoren

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    SOT-23

  • Uceo:

    50 V

  • Ic:

    100 mA

  • Ptot:

    0,2 W

  • fT:

    150 MHz

  • hFE:

    >70

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Digital-Transistoren

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    SOT-23

  • Uceo:

    50 V

  • Ic:

    100 mA

  • Ptot:

    0,25 W

  • hFE:

    >30

  • Bauform:

    SOT-23

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Digital-Transistoren

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    SOT-23

  • Uceo:

    50 V

  • Ic:

    100 mA

  • Ptot:

    0,25 W

  • hFE:

    >30

  • Bauform:

    SOT-23

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Digital-Transistoren

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    SOT-23

  • Uceo:

    50 V

  • Ic:

    100 mA

  • Ptot:

    0,25 W

  • hFE:

    >30

  • Bauform:

    SOT-23

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Digital-Transistoren

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    SOT-323

  • Uceo:

    50 V

  • Ic:

    70 mA

  • Ptot:

    0,25 W

  • fT:

    100 MHz

  • hFE:

    >70


reichelt printfooter