0
  • Koszyk
  • 0,00 €
  • Koszty wysyłki
  • od 5,60 €

Klient biznesowy
Elektronikring 1
Miejscowość

Telefon: +49 (0)4422 955-333
e-mail: info@reichelt.de
www.reichelt.de


Kategorie

filtruj wg.

Cena

0 - 0 €

  • Producent

  • Typ

  • Wykonanie

  • Technologia

  • Obudowa

  • Uceo

  • Ic

  • Ptot:

  • fT


  • Tranzystory Darlington

  • Strona 
  •  1 - 16 z 138 artykułów. 
  • Porównanie produktów:
  • Sortowanie:
 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Wykonanie:

    Darlington-Transistoren

  • Technologia:

    NPN

  • Obudowa:

    TO-3

  • Uceo:

    250 V

  • Ic:

    60 A

  • Ptot::

    250 W

  • Forma konstrukcji:

    TO-3

 
  • Typ:

    Power transistor

  • Wykonanie:

    Darlington-Transistoren

  • Technologia:

    NPN

  • Obudowa:

    TO-220

  • Uceo:

    100 V

  • Ic:

    8 A

  • Ptot::

    80 W

  • hFE:

    1000 ... 20000 V

  • Forma konstrukcji:

    TO-220

 
  • Typ:

    Power transistor

  • Wykonanie:

    Darlington-Transistoren

  • Technologia:

    PNP

  • Obudowa:

    TO-220

  • Uceo:

    100 V

  • Ic:

    8 A

  • Ptot::

    80 W

  • hFE:

    1000 ... 20000 V

  • Forma konstrukcji:

    TO-220

 
  • Typ:

    Power transistor

  • Wykonanie:

    PNP-Darl

  • Technologia:

    PNP

  • Obudowa:

    TO-3

  • Uceo:

    120 V

  • Ic:

    30 A

  • Ptot::

    200 W

  • hFE:

    >1000 V

  • Forma konstrukcji:

    TO-3

 
  • Typ:

    Power transistor

  • Wykonanie:

    PNP-Darl

  • Technologia:

    PNP

  • Obudowa:

    TO-3

  • Uceo:

    120 V

  • Ic:

    30 A

  • Ptot::

    200 W

  • hFE:

    >1000 V

  • Forma konstrukcji:

    TO-3

 
  • Typ:

    Power transistor

  • Wykonanie:

    NPN-Darl

  • Technologia:

    NPN

  • Obudowa:

    TO-3

  • Uceo:

    120 V

  • Ic:

    30 A

  • Ptot::

    200 W

  • hFE:

    >1000 V

  • Forma konstrukcji:

    TO-3

 
  • Typ:

    Power transistor

  • Wykonanie:

    NPN-Darl

  • Technologia:

    NPN

  • Obudowa:

    TO-3

  • Uceo:

    120 V

  • Ic:

    30 A

  • Ptot::

    200 W

  • hFE:

    >1000 V

  • Forma konstrukcji:

    TO-3

 
  • Typ:

    Switching power transistor

  • Wykonanie:

    PNP-Darl

  • Technologia:

    PNP

  • Obudowa:

    TO-218

  • Uceo:

    150 V

  • Ic:

    15 A

  • Ptot::

    150 W

  • hFE:

    >100 V

  • Forma konstrukcji:

    TO-218

 
  • Typ:

    Switching power transistor

  • Wykonanie:

    PNP-Darl

  • Technologia:

    PNP

  • Obudowa:

    TO-218

  • Uceo:

    200 V

  • Ic:

    15 A

  • Ptot::

    150 W

  • hFE:

    >100 V

  • Forma konstrukcji:

    TO-218

 
  • Typ:

    Switching power transistor

  • Wykonanie:

    NPN-Darl

  • Technologia:

    NPN

  • Obudowa:

    TO-218

  • Uceo:

    200 V

  • Ic:

    15 A

  • Ptot::

    150 W

  • hFE:

    >100 V

  • Forma konstrukcji:

    TO-218

 
  • Typ:

    Switching power transistor

  • Wykonanie:

    PNP-Darl

  • Technologia:

    PNP

  • Obudowa:

    TO-218

  • Uceo:

    250 V

  • Ic:

    15 A

  • Ptot::

    150 W

  • hFE:

    >100 V

  • Forma konstrukcji:

    TO-218

 
  • Typ:

    Power transistor

  • Wykonanie:

    NPN-Darl

  • Technologia:

    NPN

  • Obudowa:

    TO-3

  • Uceo:

    250 V

  • Ic:

    15 A

  • Ptot::

    175 W

  • Forma konstrukcji:

    TO-3

 
  • Typ:

    Switching power transistor

  • Wykonanie:

    NPN-Darl

  • Technologia:

    NPN

  • Obudowa:

    TO-247

  • Uceo:

    250 V

  • Ic:

    15 A

  • Ptot::

    150 W

  • hFE:

    >100 V

  • Forma konstrukcji:

    TO-247

 
  • Typ:

    Power transistor

  • Wykonanie:

    NPN-Darl

  • Technologia:

    NPN

  • Obudowa:

    TO-3

  • Uceo:

    120 V

  • Ic:

    50 A

  • Ptot::

    300 W

  • hFE:

    1000 ... 18000 V

  • Forma konstrukcji:

    TO-3

 
  • Typ:

    Power transistor

  • Wykonanie:

    NPN-Darl

  • Technologia:

    NPN

  • Obudowa:

    TO-3

  • Uceo:

    120 V

  • Ic:

    50 A

  • Ptot::

    300 W

  • Forma konstrukcji:

    TO-3

 
  • Typ:

    Power transistor

  • Wykonanie:

    PNP-Darl

  • Technologia:

    PNP

  • Obudowa:

    TO-3

  • Uceo:

    120 V

  • Ic:

    50 A

  • Ptot::

    300 W

  • Forma konstrukcji:

    TO-3


reichelt printfooter