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  • Bipolar-Transistoren (GB BJTs)

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  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    TO-92

  • Uceo:

    200 V

  • Ic:

    0,5 A

  • Ptot:

    0,625 W

  • hFE:

    >25 V

  • Bauform:

    TO-92


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