0
  • Warenkorb
  • 0,00 €
  • Versandkosten
  • ab 5,60 €

reichelt elektronik GmbH & Co. KG
Elektronikring 1
26452 Sande Germany

Telefon: +49 (0)4422 955-333
mail: info@reichelt.de
www.reichelt.de


Kategorien

Filtern nach

Preis

0 - 0 €

  • Hersteller

  • Typ

  • Ausführung

  • Technologie

  • Gehäuse

  • Uceo

  • Ic

  • Ptot
    • + mehr - weniger

  • fT


  • Bipolar-Transistoren (GB BJTs)

  • Seite  ... 
  •  1 - 16 von 550 Artikeln. 
  • Produktvergleich
  • Sortierung:
 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    TO-92

  • Uceo:

    80 V

  • Ic:

    0,5 A

  • Ptot:

    0,625 W

  • fT:

    100 MHz

  • Bauform:

    TO-92

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    TO-92

  • Uceo:

    80 V

  • Ic:

    0,7 A

  • Ptot:

    0,8 W

  • fT:

    75 MHz

  • Bauform:

    TO-92

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    PNP

  • Gehäuse:

    TO-92

  • Uceo:

    160 V

  • Ic:

    1 A

  • Ptot:

    0,9 W

  • fT:

    50 MHz

  • Bauform:

    TO-92 / TO-92MP

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    PNP

  • Gehäuse:

    TO-92

  • Uceo:

    50 V

  • Ic:

    0,15 A

  • Ptot:

    0,4 W

  • fT:

    80 MHz

  • Bauform:

    TO-92

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    PNP

  • Gehäuse:

    TO-92

  • Uceo:

    50 V

  • Ic:

    2 A

  • Ptot:

    0,9 W

  • fT:

    100 MHz

  • Bauform:

    TO-92MOD

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    TO-18

  • Uceo:

    50 V

  • Ic:

    0,2 A

  • Ptot:

    0,6 W

  • fT:

    300 MHz

  • Bauform:

    TO-18

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    TO-18

  • Uceo:

    45 V

  • Ic:

    0,2 A

  • Ptot:

    0,6 W

  • fT:

    300 MHz

  • hFE:

    200 ... 450

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    TO-18

  • Uceo:

    25 V

  • Ic:

    0,2 A

  • Ptot:

    0,6 W

  • fT:

    300 MHz

  • Bauform:

    TO-18

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    TO-18

  • Uceo:

    25 V

  • Ic:

    0,2 A

  • Ptot:

    0,6 W

  • fT:

    300 MHz

  • Bauform:

    TO-18

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    TO-18

  • Uceo:

    25 V

  • Ic:

    0,2 A

  • Ptot:

    0,6 W

  • fT:

    300 MHz

  • Bauform:

    TO-18

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    TO-18

  • Uceo:

    25 V

  • Ic:

    0,2 A

  • Ptot:

    0,6 W

  • fT:

    300 MHz

  • Bauform:

    TO-18

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    TO-18

  • Uceo:

    25 V

  • Ic:

    0,2 A

  • Ptot:

    0,6 W

  • fT:

    300 MHz

  • Bauform:

    TO-18

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    TO-220

  • Uceo:

    400 V

  • Ic:

    5 A

  • Ptot:

    100 W

  • hFE:

    10 ... 35

  • Bauform:

    TO-220

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    PNP

  • Gehäuse:

    SOT-23-5

  • Uceo:

    50 V

  • Ic:

    0,15 A

  • Ptot:

    0,15 W

  • fT:

    80 MHz

  • Bauform:

    SOT-23

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    TO-92

  • Uceo:

    35 V

  • Ic:

    0,5 A

  • Ptot:

    0,4 W

  • Bauform:

    TO-92

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Ausführung:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Gehäuse:

    TO-18

  • Uceo:

    40 V

  • Ic:

    0,8 A

  • Ptot:

    1,2 W

  • Bauform:

    TO-18


reichelt printfooter