0
  • Koszyk
  • 0,00 €
  • Koszty wysyłki
  • od 5,60 €

Klient biznesowy
Elektronikring 1
Miejscowość

Telefon: +49 (0)4422 955-333
e-mail: info@reichelt.de
www.reichelt.de


Kategorie

filtruj wg.

Cena

0 - 0 €

  • Producent

  • Typ
    • + więcej - mniej

  • Wykonanie

  • Technologia

  • Obudowa

  • Uceo

  • Ic

  • Ptot:
    • + więcej - mniej

  • fT
    • + więcej - mniej


  • Tranzystory dwubiegunowe (GB BJT)

  • Strona  ... 
  •  1 - 16 z 551 artykułów. 
  • Porównanie produktów:
  • Sortowanie:
 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Wykonanie:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologia:

    NPN

  • Obudowa:

    TO-92

  • Uceo:

    80 V

  • Ic:

    0.5 A

  • Ptot::

    0.625 W

  • fT:

    100 MHz

  • Forma konstrukcji:

    TO-92

 
  • Typ:

    2SC1008

  • Wykonanie:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologia:

    NPN

  • Obudowa:

    TO-92

  • Uceo:

    80 V

  • Ic:

    0.7 A

  • Ptot::

    0.8 W

  • fT:

    75 MHz

  • Forma konstrukcji:

    TO-92

 
  • Typ:

    2SA1013

  • Wykonanie:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologia:

    PNP

  • Obudowa:

    TO-92

  • Uceo:

    160 V

  • Ic:

    1 A

  • Ptot::

    0.9 W

  • fT:

    50 MHz

  • Forma konstrukcji:

    TO-92 / TO-92MP

 
  • Typ:

    2SA1015

  • Wykonanie:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologia:

    PNP

  • Obudowa:

    TO-92

  • Uceo:

    50 V

  • Ic:

    0.15 A

  • Ptot::

    0.4 W

  • fT:

    80 MHz

  • Forma konstrukcji:

    TO-92

 
  • Typ:

    2SA1020

  • Wykonanie:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologia:

    PNP

  • Obudowa:

    TO-92

  • Uceo:

    50 V

  • Ic:

    2 A

  • Ptot::

    0.9 W

  • fT:

    100 MHz

  • Forma konstrukcji:

    TO-92MOD

 
  • Typ:

    Low-power transistor, AF

  • Wykonanie:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologia:

    NPN

  • Obudowa:

    TO-18

  • Uceo:

    50 V

  • Ic:

    0.2 A

  • Ptot::

    0.6 W

  • fT:

    300 MHz

  • Forma konstrukcji:

    TO-18

 
  • Typ:

    Low-power transistor, AF

  • Wykonanie:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologia:

    NPN

  • Obudowa:

    TO-18

  • Uceo:

    45 V

  • Ic:

    0.2 A

  • Ptot::

    0.6 W

  • fT:

    300 MHz

  • hFE:

    200 ... 450 V

 
  • Typ:

    Low-power transistor, AF

  • Wykonanie:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologia:

    NPN

  • Obudowa:

    TO-18

  • Uceo:

    25 V

  • Ic:

    0.2 A

  • Ptot::

    0.6 W

  • fT:

    300 MHz

  • Forma konstrukcji:

    TO-18

 
  • Typ:

    Low-power transistor, AF

  • Wykonanie:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologia:

    NPN

  • Obudowa:

    TO-18

  • Uceo:

    25 V

  • Ic:

    0.2 A

  • Ptot::

    0.6 W

  • fT:

    300 MHz

  • Forma konstrukcji:

    TO-18

 
  • Typ:

    Low-power transistor, AF

  • Wykonanie:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologia:

    NPN

  • Obudowa:

    TO-18

  • Uceo:

    25 V

  • Ic:

    0.2 A

  • Ptot::

    0.6 W

  • fT:

    300 MHz

  • Forma konstrukcji:

    TO-18

 
  • Typ:

    Low-power transistor, AF

  • Wykonanie:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologia:

    NPN

  • Obudowa:

    TO-18

  • Uceo:

    25 V

  • Ic:

    0.2 A

  • Ptot::

    0.6 W

  • fT:

    300 MHz

  • Forma konstrukcji:

    TO-18

 
  • Typ:

    Low-power transistor, AF

  • Wykonanie:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologia:

    NPN

  • Obudowa:

    TO-18

  • Uceo:

    25 V

  • Ic:

    0.2 A

  • Ptot::

    0.6 W

  • fT:

    300 MHz

  • Forma konstrukcji:

    TO-18

 
  • Typ:

    Switching power transistor

  • Wykonanie:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologia:

    NPN

  • Obudowa:

    TO-220

  • Uceo:

    400 V

  • Ic:

    5 A

  • Ptot::

    100 W

  • hFE:

    10 ... 35 V

  • Forma konstrukcji:

    TO-220

 
  • Typ:

    2SA1162

  • Wykonanie:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologia:

    PNP

  • Obudowa:

    SOT-23-5

  • Uceo:

    50 V

  • Ic:

    0.15 A

  • Ptot::

    0.15 W

  • fT:

    80 MHz

  • Forma konstrukcji:

    SOT-23

 
  • Typ:

    2SC1213

  • Wykonanie:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologia:

    NPN

  • Obudowa:

    TO-92

  • Uceo:

    35 V

  • Ic:

    0.5 A

  • Ptot::

    0.4 W

  • Forma konstrukcji:

    TO-92

 
  • Typ:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Wykonanie:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologia:

    NPN

  • Obudowa:

    TO-18

  • Uceo:

    40 V

  • Ic:

    0.8 A

  • Ptot::

    1.2 W

  • Forma konstrukcji:

    TO-18


reichelt printfooter