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reichelt elektronik GmbH & Co. KG
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  • Transistors bipolaires (GB BJTs)

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  • Comparaison
  • Tri :
 
  • Type:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Version:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Boîtier:

    TO-92

  • Uceo:

    80 V

  • Ic:

    0.5 A

  • Ptot:

    0.625 W

  • fT:

    100 MHz

  • Forme:

    TO-92

 
  • Type:

    2SC1008

  • Version:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Boîtier:

    TO-92

  • Uceo:

    80 V

  • Ic:

    0.7 A

  • Ptot:

    0.8 W

  • fT:

    75 MHz

  • Forme:

    TO-92

 
  • Type:

    2SA1013

  • Version:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    PNP

  • Boîtier:

    TO-92

  • Uceo:

    160 V

  • Ic:

    1 A

  • Ptot:

    0.9 W

  • fT:

    50 MHz

  • Forme:

    TO-92 / TO-92MP

 
  • Type:

    2SA1015

  • Version:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    PNP

  • Boîtier:

    TO-92

  • Uceo:

    50 V

  • Ic:

    0.15 A

  • Ptot:

    0.4 W

  • fT:

    80 MHz

  • Forme:

    TO-92

 
  • Type:

    2SA1020

  • Version:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    PNP

  • Boîtier:

    TO-92

  • Uceo:

    50 V

  • Ic:

    2 A

  • Ptot:

    0.9 W

  • fT:

    100 MHz

  • Forme:

    TO-92MOD

 
  • Type:

    Transistor à faible puissance, AF

  • Version:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Boîtier:

    TO-18

  • Uceo:

    50 V

  • Ic:

    0.2 A

  • Ptot:

    0.6 W

  • fT:

    300 MHz

  • Forme:

    TO-18

 
  • Type:

    Transistor à faible puissance, AF

  • Version:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Boîtier:

    TO-18

  • Uceo:

    45 V

  • Ic:

    0.2 A

  • Ptot:

    0.6 W

  • fT:

    300 MHz

  • hFE:

    200 ... 450 V

 
  • Type:

    Transistor à faible puissance, AF

  • Version:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Boîtier:

    TO-18

  • Uceo:

    25 V

  • Ic:

    0.2 A

  • Ptot:

    0.6 W

  • fT:

    300 MHz

  • Forme:

    TO-18

 
  • Type:

    Transistor à faible puissance, AF

  • Version:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Boîtier:

    TO-18

  • Uceo:

    25 V

  • Ic:

    0.2 A

  • Ptot:

    0.6 W

  • fT:

    300 MHz

  • Forme:

    TO-18

 
  • Type:

    Transistor à faible puissance, AF

  • Version:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Boîtier:

    TO-18

  • Uceo:

    25 V

  • Ic:

    0.2 A

  • Ptot:

    0.6 W

  • fT:

    300 MHz

  • Forme:

    TO-18

 
  • Type:

    Transistor à faible puissance, AF

  • Version:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Boîtier:

    TO-18

  • Uceo:

    25 V

  • Ic:

    0.2 A

  • Ptot:

    0.6 W

  • fT:

    300 MHz

  • Forme:

    TO-18

 
  • Type:

    Transistor à faible puissance, AF

  • Version:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Boîtier:

    TO-18

  • Uceo:

    25 V

  • Ic:

    0.2 A

  • Ptot:

    0.6 W

  • fT:

    300 MHz

  • Forme:

    TO-18

 
  • Type:

    Transistor de puissance de commutation

  • Version:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Boîtier:

    TO-220

  • Uceo:

    400 V

  • Ic:

    5 A

  • Ptot:

    100 W

  • hFE:

    10 ... 35 V

  • Forme:

    TO-220

 
  • Type:

    2SA1162

  • Version:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    PNP

  • Boîtier:

    SOT-23-5

  • Uceo:

    50 V

  • Ic:

    0.15 A

  • Ptot:

    0.15 W

  • fT:

    80 MHz

  • Forme:

    SOT-23

 
  • Type:

    2SC1213

  • Version:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Boîtier:

    TO-92

  • Uceo:

    35 V

  • Ic:

    0.5 A

  • Ptot:

    0.4 W

  • Forme:

    TO-92

 
  • Type:

    Bipolartransistoren (BJT)

  • Version:

    Kleinleistungstransistor (GP BJT)

  • Technologie:

    NPN

  • Boîtier:

    TO-18

  • Uceo:

    40 V

  • Ic:

    0.8 A

  • Ptot:

    1.2 W

  • Forme:

    TO-18


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