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  • 2SK-Transistoren

  • Seite :
  •  1 - 16 von  19  Artikeln. 
 
  • Typ:

    2SK1058

  • Technologie:

    Feldeffekttransistor

  • Gehäuse:

    TO-3P

  • Ausführung:

    N-FET

  • Ucbo:

    160 V

  • Ic:

    7 A

  • Ptot:

    100 W

Verpackungsgewicht:

0,005 kg

 
  • Typ:

    2SK117

  • Technologie:

    Feldeffekttransistor

  • Gehäuse:

    TO-92

  • Ausführung:

    N-FET

  • Ucbo:

    50 V

  • Ic:

    0,005 A

  • Ptot:

    0,3 W

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    2SK1460

  • Technologie:

    Feldeffekttransistor

  • Gehäuse:

    TO-220F

  • Ausführung:

    N-FET

  • Ucbo:

    900 V

  • Ic:

    3,5 A

  • Ptot:

    40 W

Verpackungsgewicht:

0,002 kg

 
  • Typ:

    2SK161

  • Technologie:

    Feldeffekttransistor

  • Gehäuse:

    2-4E1D

  • Ausführung:

    N-FET

  • Ucbo:

    18 V

  • Ic:

    0,01 A

  • Ptot:

    0,2 W

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    2SK163

  • Technologie:

    Feldeffekttransistor

  • Gehäuse:

    TO-92

  • Ausführung:

    N-FET

  • Ucbo:

    50 V

  • Ic:

    0,03 A

  • Ptot:

    0,4 W

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    2SK170

  • Technologie:

    Feldeffekttransistor

  • Gehäuse:

    TO-92

  • Ausführung:

    N-FET

  • Ucbo:

    40 V

  • Ic:

    0,02 A

  • Ptot:

    0,4 W

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    2SK192

  • Technologie:

    Feldeffekttransistor

  • Gehäuse:

    2-4E1D

  • Ausführung:

    N-FET

  • Ucbo:

    18 V

  • Ic:

    0,003 A

  • Ptot:

    0,2 W

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    2SK216

  • Technologie:

    Feldeffekttransistor

  • Gehäuse:

    TO-220

  • Ausführung:

    N-FET

  • Ucbo:

    200 V

  • Ic:

    0,5 A

  • Ptot:

    30 W

Verpackungsgewicht:

0,002 kg

 
  • Typ:

    2SK246

  • Technologie:

    Feldeffekttransistor

  • Gehäuse:

    TO-92

  • Ausführung:

    N-FET

  • Ucbo:

    50 V

  • Ic:

    0,001 A

  • Ptot:

    0,3 W

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    2SK2544

  • Technologie:

    Feldeffekttransistor

  • Gehäuse:

    TO-220

  • Ausführung:

    N-FET

  • Ucbo:

    600 V

  • Ic:

    6 A

  • Ptot:

    80 W

Verpackungsgewicht:

0,002 kg

 
  • Typ:

    2SK2545

  • Technologie:

    Feldeffekttransistor

  • Gehäuse:

    SC-67

  • Ausführung:

    N-FET

  • Ucbo:

    600 V

  • Ic:

    6 A

  • Ptot:

    40 W

Verpackungsgewicht:

0,002 kg

 
  • Typ:

    2SK2605

  • Technologie:

    Feldeffekttransistor

  • Gehäuse:

    SC-67

  • Ausführung:

    N-FET

  • Ucbo:

    800 V

  • Ic:

    5 A

  • Ptot:

    45 W

Verpackungsgewicht:

0,002 kg

 
  • Typ:

    2SK2645

  • Technologie:

    Feldeffekttransistor

  • Gehäuse:

    TO-220F

  • Ausführung:

    N-FET

  • Ucbo:

    600 V

  • Ic:

    9 A

  • Ptot:

    50 W

Verpackungsgewicht:

0,002 kg

 
  • Typ:

    2SK2718

  • Technologie:

    Feldeffekttransistor

  • Gehäuse:

    SC-67

  • Ausführung:

    N-FET

  • Ucbo:

    900 V

  • Ptot:

    40 W

Verpackungsgewicht:

0,002 kg

 
  • Typ:

    2SK2750

  • Technologie:

    Feldeffekttransistor

  • Gehäuse:

    SC-67

  • Ausführung:

    N-FET

  • Ucbo:

    600 V

  • Ptot:

    35 W

Verpackungsgewicht:

0,002 kg

 
  • Typ:

    2SK2996

  • Technologie:

    Feldeffekttransistor

  • Gehäuse:

    SC-67

  • Ausführung:

    N-FET

  • Ucbo:

    600 V

  • Ptot:

    45 W

Verpackungsgewicht:

0,002 kg